自己整合酸化物TFTと回路

　透明アモルファス酸化物半導体に注目が集まるなか、絶縁膜/酸化物半導体を連続堆積させ、背面露光によるプロセスを行える自己整合プロセスを研究開発しました。　得られたゲートとソース・ドレインのオーバーラップ長は0.5 μmで、トランジスタは電圧3V駆動、チャネル長3 μm、移動度4.3 cm²/Vs、オンオフ比10⁸、サブスレッショルドスロープ0.25 V/decadeです。相互コンダクタンス0.88 mS、ゲート容量2 pFから計算されたしゃ断周波数は70 MHzとなりました。未だ性能不足であり、20 MHzを超えるクロックとなるデータドライバ回路や、13.56 MHzを直接取り扱う論理回路は実現出来ませんが、今後、より高性能化を行うことで、様々なシステムへの応用を考えて行きたいと思います。

Y. Hirouchi, A. Yamagishi, S. Naka, and H. Okada: "Transparent-Oxide-Semiconductor-Based Self-Alignment Thin-Film Transistors", Jpn. J. Appl. Phys., 48(4), 04C097 (2009).