平成10年における研究活動状況

平成10年(1998年)

国内学会発表

　　春季第45回応用物理学関係連合講演会 

　　電気学会全国大会

　　秋季第59回応用物理学会学術講演会

　　電気関係学会北陸支部連合大会

　　日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会

国際会議発表

研究会発表

Published Papers

国内学会発表

1998年(平成10年)春季第45回応用物理学関係連合講演会
　　　（3月28-31日、東京工科大学)

・Si(001)-In(4x3)再構成上でのInSb薄膜の作製
　　阿閉　誠、李　冬梅、岡本哲一、志武　豊、B.V.Rao、丹保豊和、龍山智栄
　　講演予稿集No.1, p.278(28p-ZL-3).

・Geアイランドを介したSi(001)基板上におけるInSbのヘテロエピタキシャル成長に対する成長温度の影響
　　森　雅之、二沢幸生、西　康雄、丹保豊和、龍山智栄
　　講演予稿集No.1, p.278(28p-ZL-4).

・MBE成長Uniform-SiGe/Graded-SiGe/Si(001)表面のAFM観察
　　浅野　崇、又多秀昭、丹保豊和、龍山智栄
　　講演予稿集No.1, p.307(28a-YG-9).

・MBE成長SrTiO3/SrO/Siにおけるアニール効果
　　前田一生、清水淳史、丹保豊和、龍山智栄
　　講演予稿集No.1, p.239(30a-SL-3).

・Si(001)とSi(111)表面上のIn誘起表面再構成上のSb吸着
　　李　冬梅、阿閉　誠、岡本哲一、丹保豊和、龍山智栄
　　講演予稿集No.2, p.602(30a-ZE-2).

平成10年度電気学会全国大会
　　　(平成10年3月25-27日、慶応義塾大学日吉キャンパス)

・脱イオン水中におけるイオンマイグレーションによる銀デンドライトの成長過程
　　藤城敏史、谷野克己、龍山智栄
　　講演論文集2、p.18(268).

　◎1998年(平成10年)秋季第59回応用物理学会学術講演会
　　　（9月15-18日、広島大学東広島キャンパス）

・GaAs表面と層状物質GaSの間の界面形成
　　A. B. M. O. Islam，西山優佳，丹保豊和，龍山智栄
　　講演予稿集No.3, p.1182(15p-ZK-1).

平成10年度電気関係学会北陸支部連合大会
　　　(10月17-18日，福井工業大学)

・Si(111)基板上でのInsb薄膜の作製と特性
　　岡本哲一，B．V．Rao，新村綾子，丹保豊和，龍山智栄
　　講演予稿集 p.224(D-25).

・SiGe系量子井戸の形成とその2次元電子の電気的特性
　　中西早人，又多秀昭，杜　宇峰，岩崎　崇，丹保豊和，龍山智栄
　　講演予稿集 p.225(D-26).

・混合酸化物半導体を用いた室内空気汚染度測定センサ
　　角崎雅博，寺澤孝志，谷野克巳，龍山智栄
　　講演予稿集 p.243(D-44).

平成10年度日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会
　　　(12月5日、富山大学)

・Si(001)基板上のGeアイランドを介した InSb 薄膜の成長
　　ニ沢幸生，西康雄，前　圭子，森　雅之，丹保豊和，龍山智栄
　　講演予稿集 p.33(Ⅲ-4).

・共蒸着法によるSrTiO3 基板上の Bi2Sr2CuOx 薄膜の作成
　　荒川豊文，清水淳史，堀　里美，丹保豊和，龍山智栄
　　講演予稿集 p.34(Ⅲ-5).

・Passivation of GaAs(001) surface by layered-compound GaS
　　A.B.M.O. Islam，Y. Nishiyama，T. Tambo，C. Tatsuyama
　　講演予稿集 p.34(Ⅲ-6).

国際会議発表

・Surface modification of B-doped diamond films by GaS
A.B.M.O.Islam, K.K.Lim, Y.Dokai, T.Tambo and C.Tatsuyama,
Abstract of Second International Symposium on Diamond Electronics Devices, p. 45
(March 9-10, 1998, Osaka University Convention Center).

研究会発表

・SiGe-MBE法におけるバッファー層の役割－表面ラフネスを中心として－
　　浅野　崇、中尾貴博、丹保豊和、上羽　弘、龍山智栄、
　　日本学術振興会極限構造電子物性　第151委員会第45回研究会資料、pp.9-16
　　(3月16日、弘済会館、東京).

Published Papers

・Initial stage of the growth of GaS thin films on GaAs,
A.B.M.O.Islam, K.Asai, K.K.Lim, T.Tambo and C.Tatsuyama,
Appl. Surf. Sci, Vol. 123/124(1998), pp.508-512.

・Migration of Conductive Ink using Silver-Copper Solid Solution Powder,
S.Fujiki, K.Tanino, J.Sato and C.Tatsuyama,
Trans. IEE of Japan, Vol. 118-A(1998), pp.268-273.

・The role of (4x3) surface reconstruction induced by In adsorption for the heteroepitaxial growth of InSb on Si(001)-2x1 surface,
D.M.Li, M.Atoji, M.Yamazaki, T.Tambo and C.Tatsuyama,
Appl. Surf. Sci., Vol. 130-132 (1998). pp.101-106.

・Growth temperature effect on the heteroepitaxial growth of InSb films on a Si(001) substrate with Ge islands,
M.Mori, Y.Nizawa, Y.Nishi, T.Tambo and C.Tatsuyama,
Thin Solid Films, Vol. 333 (1998), pp.60-64.

・イオンマイグレーションによるガラス基板上の銀デンドライトの成長とそのフラクタル次元
　　藤城敏史、谷野克己、龍山智栄
　　電気学会論文誌, A（基礎・材料・共通部門誌）, Vol.118-A, No.8, （1998）pp.838-845.

・Adsorption of Sb on the In induced surface reconstructions of Si(001) and Si(111) surfaces,
D.M.Li, M.Atoji, T.Okamoto, T.Tambo and C.Tatsuyama,
Surf. Sci., 417 (1998) pp.210-219.

・Molecular beam epitaxy of SrTiO3 films on Si(100)-2x1 with SrO buffer layer,
T.Tambo, T.Nakamura, K.Maeda, H.Ueba and C.Tatsuyama,
Jpn. J. Appl. Phys., Vol.37 (1998) pp.4454-4459.

・Interface formation between layered-compound GaS and GaAs(111)A surface,
A.B.M.O.Islam, K.Asai, K.K.Lim, T.Tambo and C.Tatsuyama,
Surf. Sci., 416 (1998) pp.295-304.

・In(4x3) reconstruction mediated heteroepitaxial growth of InSb on Si(001) substrate.
B.V.Rao, M.Atoji, D.M.Li, T.Okamoto, T.Tambo and C.Tatsuyama.
Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37 (1998) pp.L1297-1300,

・Surface modification of B-doped diamond films by GaS.
A.B.M.O.Islam, K.K.Lim, Y.Dokai, T.Tambo and C.Tatsuyama.
Diamond films and Technology. Vol.18 (1998) pp.271-280.

国内学会発表

・Geアイランドを介したSi(001)基板上におけるInSbのヘテロエピタキシャル成長に 対する成長温度の影響 森 雅之、二沢幸生、西 康雄、丹保豊和、龍山智栄 講演予稿集No.1, p.278(28p-ZL-4).

・MBE成長Uniform-SiGe/Graded-SiGe/Si(001)表面のAFM観察 浅野 崇、又多秀昭、丹保豊和、龍山智栄 講演予稿集No.1, p.307(28a-YG-9).

・MBE成長SrTiO3/SrO/Siにおけるアニール効果 前田一生、清水淳史、丹保豊和、龍山智栄 講演予稿集No.1, p.239(30a-SL-3).

・Si(001)とSi(111)表面上のIn誘起表面再構成上のSb吸着 李 冬梅、阿閉 誠、岡本哲一、丹保豊和、龍山智栄 講演予稿集No.2, p.602(30a-ZE-2).

・脱イオン水中におけるイオンマイグレーションによる銀デンドライトの成長過程 藤城敏史、谷野克己、龍山智栄 講演論文集2、p.18(268).

国際会議発表

・Surface modification of B-doped diamond films by GaS A.B.M.O.Islam, K.K.Lim, Y.Dokai, T.Tambo and C.Tatsuyama, Abstract of Second International Symposium on Diamond Electronics Devices, p. 45 (March 9-10, 1998, Osaka University Convention Center).

研究会発表

・SiGe-MBE法におけるバッファー層の役割－表面ラフネスを中心として－ 浅野 崇、中尾貴博、丹保豊和、上羽 弘、龍山智栄、 日本学術振興会極限構造電子物性 第151委員会第45回研究会資料、pp.9-16 (3月16日、弘済会館、東京).

Published Papers

・Initial stage of the growth of GaS thin films on GaAs, A.B.M.O.Islam, K.Asai, K.K.Lim, T.Tambo and C.Tatsuyama, Appl. Surf. Sci, Vol. 123/124(1998), pp.508-512.

・Migration of Conductive Ink using Silver-Copper Solid Solution Powder, S.Fujiki, K.Tanino, J.Sato and C.Tatsuyama, Trans. IEE of Japan, Vol. 118-A(1998), pp.268-273.

・The role of (4x3) surface reconstruction induced by In adsorption for the heteroepitaxial growth of InSb on Si(001)-2x1 surface, D.M.Li, M.Atoji, M.Yamazaki, T.Tambo and C.Tatsuyama, Appl. Surf. Sci., Vol. 130-132 (1998). pp.101-106.

・Growth temperature effect on the heteroepitaxial growth of InSb films on a Si(001) substrate with Ge islands, M.Mori, Y.Nizawa, Y.Nishi, T.Tambo and C.Tatsuyama, Thin Solid Films, Vol. 333 (1998), pp.60-64.

・イオンマイグレーションによるガラス基板上の銀デンドライトの成長とそのフラクタル次元 藤城敏史、谷野克己、龍山智栄 電気学会論文誌, A（基礎・材料・共通部門誌）, Vol.118-A, No.8, （1998）pp.838-845.

・Adsorption of Sb on the In induced surface reconstructions of Si(001) and Si(111) surfaces, D.M.Li, M.Atoji, T.Okamoto, T.Tambo and C.Tatsuyama, Surf. Sci., 417 (1998) pp.210-219.

・Molecular beam epitaxy of SrTiO3 films on Si(100)-2x1 with SrO buffer layer, T.Tambo, T.Nakamura, K.Maeda, H.Ueba and C.Tatsuyama, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.37 (1998) pp.4454-4459.

・Interface formation between layered-compound GaS and GaAs(111)A surface, A.B.M.O.Islam, K.Asai, K.K.Lim, T.Tambo and C.Tatsuyama, Surf. Sci., 416 (1998) pp.295-304.