国内学会発表

　　春季第46回応用物理学関係連合講演会

　　電気学会全国大会

　　秋季第60回応用物理学関係連合講演会

　　電気関係学会北陸支部連合大会

　　日本物理学会北陸支部、応用物理学会北陸・信越支部合同講演会


研究会発表

その他

国際会議発表

Published Papers

国内学会発表

1999年(平成11年)春季第46回応用物理学関係連合講演会
　　　(3月28-31日、東京理科大学 野田キャンパス)

・Heteroepitaxy of InSb on Si(111) substrate
　 　B.V.Rao, T.Okamoto, A.Shinmura, D.V.Gruznev, T.Tambo, C.Tatsuyama
　 　講演予稿集No.1, p.363(29p-P-13).

・Interface Formation between GaS and CVD Diamond Films
　 　A.B.M.O.Islam, Y.Nishiyama, T.Tambo, C.Tatsuyama
　 　講演予稿集No.2, p.623(30a-P7-9).

平成11年度電気学会全国大会
　　　(平成11年3月26-28日、山口大学 吉田キャンパス)

・酸化物半導体を用いた室内空気汚染度測定センサ
　 　角崎雅博、山崎茂一、藤城敏史（富山県工業技術センタ）、寺澤孝志、龍山智栄（富山大学）、星野昌則（コーセル）、南　政克（北陸電気工業）、山田浩美
　 　講演論文集3、p.255(707).

1999年(平成11年)秋季第60回応用物理学関係連合講演会
　　　(9月1-4日、甲南大学)

・MBE成長Uniform-SiGe/SuperLattice-SiGe/Si(001）表面のAFM観察
　 　又多秀昭、M.M.Rahman、車谷健太郎、丹保豊和、龍山智榮
　 　講演論文集、p.327(2p-R-6).

・Effect of In(4×1) Reconstruction on the Heteroepitaxy of InSb on Si(111) Substrate
　 　B.V.Rao, Gruznev, T.Okamoto, M.Saitou, T.Tambo, C.Tatsuyama
　 　講演論文集、p.526(4a-ZK-1).

平成11年度電気関係学会北陸支部連合大会
　　　(10月7-8日，富山大学)

・Si(001)基板上へのBi₂Sr₂CuO_x超伝導体薄膜のMBE成長
　 　清水淳史、荒川豊文、堀里美、丹保豊和、龍山智榮
　 　講演予稿集 p.218(D-13).

・Role of Adsorbate Induced Surface Phases in Large Lattice Mismatched Epitaxy
　 　B.V.Rao, D.Gruznev, T.Tambo, C.Tatsuyama
　 　講演予稿集 p.219(D-14).
 

平成11年度日本物理学会北陸支部、応用物理学会北陸・信越支部合同講演会
　　　(12月4日，福井大学)

研究会発表

その他

・ハイテクセミナー「新しい電子材料コース」ナノ構造電子デバイス講師　龍山智榮
　　富山技術開発財団主催
　　(平成11年8月31日、富山技術交流センター)

国際会議発表

・Residual strain and surfae roughness of Si_1-xGe_x alloy layers grown by molecular beam epitaxy on Si(001) substrate,
C,Tatsuyama, T.Asano, T.Nakao, H.Matada, T.Tambo and H.Ueba,
Program and Abstracts of International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures.
(IJC-SiXSiMBE8X)(SiHS3)(September 12-17, 1999. Miyagi).

・Effect of graded SiGe and low temperature Si buffers on Hall mobility in Si_1-xGe_x/Si/Si_1-xGe_x system.
M.M.Rahman, H.Nakanishi, Du Yufeng, T.Tambo and C.Tatsuyama
International Conference on Material Science and Technology.
(October 23-27, 1999. Bangladesh University of Engineering and Technology, Dakka,Bangladesh).

・Growth temperature effect on the heteroepitaxy of InSb on Si(111)
B.V.Rao, T.Okamoto, A.Shinmura, D.Gruznev, M.Mori, T.Tambo and C.Tatsuyama
Third International Symbosium on Control of Semiconductor Interfaces,
(October 25-29, 1999. Karuizawa).

・Epitaxial growth of Bi₂Sr₂CuO_x films onto Si(001) by Molecular Beam Epitaxy.
T.Tambo, T.Arakawa, A.Shimizu, S.Hori and C.Tatsuyama
Third International Symbosium on Control of Semiconductor Interfaces,
(October 25-29, 1999. Karuizawa).

・Effect of current flow direction on the heteroepitaxial growth of InSb films on Ge/Si(001) substrate heated by direct current.
M.Mori, Y.Nizawa, Y.Nishi, K.Mae, T.Tambo and C.Tatsuyama
Third International Symbosium on Control of Semiconductor Interfaces,
(October 25-29, 1999. Karuizawa).

・Characterization of GaS-deposited CVD diamond films by AES & XPS
A.B.M.O.Islam, Y.Nishiyama, T.Tambo, C.Tatsuyama and T.Ito
Third International Symbosium on Control of Semiconductor Interfaces,
(October 25-29, 1999. Karuizawa).
 

Published Papers

 ・Growth temperature dependence of GaS thin films on GaAs(001) surface.
A.B.M.O.Islam, T.Tambo and C.Tatsuyama.
J. Appl. Phys. Vol.85 (1999) pp.4003-4009.

・Improvement of electrical properties of MBE-grown epitaxial SrTiO₃ films on Si(001)-2×1 by in-situ annealing, 
T.Tambo, K.Maeda, A.Shimizu and C.Tatsuyama,
J. Appl. Phys. Vol.86,No.6 (1999) pp.3213-3217.

・室内空気汚染に対して高感度な酸化物半導体材料の探索
角崎雅博、寺澤孝志、谷野克己、龍山智榮
電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌)Vol.119-E,No.7(1999) pp.383-389.