平成１２年における研究活動状況

平成12年(2000年)

国内学会発表

　　平成12年度電気学会全国大会

　　春季第47回応用物理学関係連合講演会

　　秋季第61回応用物理学会学術講演会

国際会議発表

研究会発表

その他

Published Papers

国内学会発表

平成12年度電気学会全国大会
　　　(平成12年3月21-24日、東京工業大学)

・集積化半導体額センサーによるVOCの測定
　　角崎雅博、藤城敏史、谷野克己、石川勝巳、小森一哉、龍山智榮
　　講演予稿集3, p.3-137.

2000年(平成12年)春季第47回応用物理学関係連合講演会
　　　(3月28-31日、青山学院大学青山キャンパス)

・MBE成長Uniform-SiGe/SuperLattice-(Si₁₄Ge₁)₂₀/Si(001)表面のAFM観察
　　又多秀明、M.M.Rahman、車谷健太郎、丹保豊和、龍山智榮
　　講演予稿集No.1, p.401(28p-YF-5).

・Role of Surface Structure in the heteroepitaxy of InSb on Si substrate
　　B.V.Rao, D.Gruznev. M.Mori, T.Tambo, C.Tatsuyama
　　講演予稿集No.3, p.??(30a-YD-1).

・Modification in InSb growth behavior by In(4x1) surface phase on Si(111)
　　D.Gruznev. B.V.Rao, M.Mori, T.Tambo, C.Tatsuyama
　　講演予稿集No.1, p.331(30a-P13-9).

・SrOバッファ層を用いたSi基板上へのBSCO薄膜のエピタキシャル成長
　　清水淳史、松田晶詳、丹保豊和、龍山智榮
　　講演予稿集No.1, p.243(30p-E-10).

2000年(平成12年)春季第47回応用物理学関係連合講演会
　　　(9月3-7日、北海道工業大学キャンパス)

・Heteroepitaxy of InSb on Si(001) substrate: Role of Si(001)-In(4x1) reconstruction
　　D.Gruznev. B.V.Rao, M.Mori, T.Tambo, C.Tatsuyama
　　講演予稿集No.2, p.540(6a-S-4).

・Role of In(4x1) reconstruction on the Sb adsorption on Si(111) substrates
　　B.V.Rao, D.Gruznev. M.Mori, T.Tambo, C.Tatsuyama
　　講演予稿集No.2, p.540(6a-S-5).

・SrOバッファ層を用いたSi基板上へのBi2Sr2CuOx薄膜の二段階成長
　　松田晶詳、清水淳史、丹保豊和、龍山智栄
　　講演予稿集No.１, p.200(5a-L-22).

・AlSbバッファ層を介したSi(001)基板上へのInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
　　赤江尚徳、魚谷一成、森　雅之、丹保豊和、龍山智栄
　　講演予稿集No.1, p.270(5a-ZA-10).

国際会議発表

・Sb Adsorption on Si(111)-In(4x1) surfaace phase.
　　 B.V.Rao, D.Gruznev, T.Tambo, C.Tatsuyama,
　　10th International Conference on Solid Films and Surfaces
　　(July 9-13, 2000. Princeton University, Princeton, USA).

･Role of short period superlattice buffers for the growth of Si_0.75Ge_0.25 aloy layers on Si(001)
　　 M.M.Rahman, H.Matada, T.Tambo C.Tatsuyama,
　　 10th International Conference on Solid Films and Surfaces
　　 (July 9-13. 2000, Princeton University, Princeton, USA).

・Molecular beam epitaxial growth of high quality InSb films on Si(111) substrates
　　 B.V.Rao, D.Gruznev, T.Tambo, C.Tatsuyama
　　The 1st Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
　　(Auust 29-September 1, 2000 Tohoku University, Sendai Japan).

・Formation of first InSb molecular layer on Si(111) substrate: Role of In(4x1) reconstruction
　　 B.V.Rao, D.Gruznev, T.Tambo, C.Tatsuyama
　　25th International Conference on the Physics of Semiconductiors,
　　 (September 17-22, 2000, Osaka, Japan).

・How Si(001)-In(4x3) Reconstruction Improves the Epitaxial Quality of InSb films Grown on Si(001) Substrates?
　　 B.V.Rao, D.Gruznev, T.Tambo, C.Tatsuyama
　　 (International Symposium on Surface and Interfaces - Properties of Different Symmetry Crossing-,
　　 (Oct 17-20 2000, Nagoya University, Nagoya, Japan).

・STM-AES-RHEED study of Sb adsorption on Si(111)-In(4x1) reconstruction
　　 D.Gruznev, B.V.Rao, M.Mori, T.Tambo, C.Tatsuyama
　　The 1st Asia Pacific Conference on Conference on Fundamental problems of Opto and microelectronics,
　　 (Vladivostok, Russia, 11-15 Sept, 2000).

･Twinned InSb molecular layer on Si(111) substrate.
　　 B.V.Rao, D.Gruznev, M.Mori, T.Tambo, C.Tatsuyama:
　　 International Symposium on Surface and Interfaces - Properties of Different Symmetry Crossing-,
　　 (Oct. 17-20 2000, Nagoya University, Nagoya, Japan)

･Formation of Si(111)-InSb(2x2) surface phase.
　　 D.Gruznev, B.V.Rao, M.Mori, T.Tambo, C.Tatsuyama;
　　 4th Japan-Russia Siminor on Semiconductor Surfaces(JRSSS-4),
　　 (Nov. 2000, Nagoya, Japan)

･Smoothening of Si_0.75Ge_0.25 alloy surface using 1-step short period (Si₁₄/Ge₁)₂₀ superlattice.
　　 M.M.Rahman, H.Matada, T.Tambo, C.Tatsuyama:
　　 4th Japan-Russia Siminor on Semiconductor Surfaces(JRSSS-4),
　　 (Nov. 2000, Nagoya, Japan)

研究会発表

その他

・Si表面の再構成構造とInSbのヘテロエピタキシャル成長,
　　龍山智栄,
　　「シリコンスクールin金沢」講演予行集pp.12-21
　　応用物理学会シリコンテクノロジー分科会主催[2000年1月28,29、金沢大学工学部]

・インテリジェントにおいセンサの研究
　　石川勝巳、小森一哉、角崎雅博、藤城敏史、谷野克己、龍山智栄
　　平成11年度(第13回)若い研究者を育てる会研究論文集pp.7-13
若い研究者を育てる会主催[3月16日、名鉄トヤマホテル]

･MBE growth of Si_0.75Ge_0.25 alloys using short-period (Si_m/Ge_n)_N superlattices on Si(001) substrate.
　　M.M.Rahman, H.Matada, T.Tambo, C.Tatsuyama:
　　電子情報通信学会技術研究報告 ED100: 15-20 (Oct., 2000)

･BSCO薄膜のSi(001)面上へのヘテロエピタキシャル成長.
　　丹保豊和、清水淳史、松田晶詳、龍山智榮:
　　電子情報通信学会技術研究報告 ED100: 21-26 (Oct., 2000)

Published Papers

・Interface formation between GaS and CVD diamond films.
　　 A.B.M.O.Islam, Y.Nishiyama, T.Tambo, C.Tatsuyama and T.Ito..
　　 Surf. Sci. Vol.448 (2000) pp.1-10.

・Growth temperature dependent role of In(4x1) surface for the heteroepitaxy of InSb on Si(111),
　　 B.V.Rao, D.Gruznev, M.Saitou, T.Tambo and C.Tatsuyama,
　　 J. Appl. Phys. Vol.87,(2000) pp.724-729.

・Residual strain and surfae roughness of Si_1-xGe_x alloy layers grown by molecular beam epitaxy on Si(001).
　　 C.Tatsuyama, T.Asano, T.Nakao, H.Matada, T.Tambo and H.Ueba.
　　 Thin Solid Films, (to be published)

・Epitaxial growth of Bi₂Sr₂CuO_x films onto Si(001) by Molecular Beam Epitaxy
　　 T.Tambo, T.Arakawa, A.Shimizu, S.Hori and C.Tatsuyama.
　　 Appl. Surf. Sci. Vol.159/160 (2000) pp.161-166.

・Characterization of GaS-deposited CVD diamond films by AES & XPS.
　　 A.B.M.O.Islam, Y.Nishiyama, T.Tambo, C.Tatsuyama.
　　 Appl. Surf. Sci. Vol.159/160 (2000) pp.588-593.

・Effect of current flow direction on the heteroepitaxial growth of InSb on Ge/Si(001) substrate heated by direct current.
　　 M.Mori, Y.Nizawa, Y.Nishi, K.Mae, T.Tambo, and C.Tatsuyama.
　　 Appl. Surf. Sci. Vol.159/160.(2000) pp.156-160.

・Growth temperature effect on the heteroepitaxy of InSb on Si(111).
　　 B.V.Rao, T.Okamoto, A.Shimura, D.Gruznev, M.Mori, T.Tambo and C.Tatsuyama.
　　 Appl. Surf. Sci. Vol.159/160 (2000) pp.335-340.

･Structural characterization of Si1-xGex alloy layers by molecular beam epitaxy on Si(001) substrate.
　　 T.Asano, T.Nakao, H.Matada, T.Tambo, H.Ueba, C.Tatsuyama
　　 J. Appl. Phys. Vol.87 (2000) pp.8759-8765.

・Role of In(4x1) superstructure on the heteroepitaxy of InSb on Si(111).
　　 B.V.Rao, T.Okamoto, A.Shimura, D.Gruznev, M.Mori, T.Tambo and C.Tatsuyama.
　　 Appl. Surf. Sci. Vol.162/163 (2000) pp.263-269.

･Passivation of GaAs surface by GaS.
　　 A.B.M.O. Islam, T.Tambo, C.Tatsuyama
　　 Vacuum Vol.59 (2000) pp.894-899.

･Growth Temperature Dependent Role of In(4x1) Surface Phase for the Heteroepitaxial Growth of InSb on Si(111) substrate.
　　 B.V. Rao, D. Gruznev, T. Tambo, C. Tatsuyama
　　 J. Appl. Phys.Vol.87(2000) pp.824-829.

･厚膜集積化ガスセンサによる室内ＶＯＣの識別,
　　 角崎雅博、藤城敏史、谷野克巳、石川勝巳、小森一哉、龍山智栄
　　 電気学会論文誌「センサ・マイクロマシン部門誌」 120-E: pp.438-445 (2000)

・Sb Adsorption on Si(111)-In(4x1) Surface Phase.
B.V.Rao, D.Gruznev, T.Tambo, C.Tatsuyama :
Appl. Surf. Sci. 175-176 : pp.187-194(2001)

・Role of Short Period Superlattice Buffers for the Growth of Si0.75Ge0.25 Alloy Layers on Si(001).
M.M.Rahman, H.Matada, T.Tambo, C.Tatsuyama :
Appl. Surf. Sci. 175-176 : pp.6-11(2001)

・In-Situ Annealing of Thin SrO Films Grown on Si(001)-2x1 by Molecular Beam Epitaxy.
T.Tambo, A.Shimizu, A.Matsuda, C.Tatsuyama :
Jpn. J. Appl. Phys. 39 : pp.6432-6434(2000)

国内学会発表

・MBE成長Uniform-SiGe/SuperLattice-(Si14Ge1)20/Si(001)表面のAFM観察 又多秀明、M.M.Rahman、車谷健太郎、丹保豊和、龍山智榮 講演予稿集No.1, p.401(28p-YF-5).

・Role of Surface Structure in the heteroepitaxy of InSb on Si substrate B.V.Rao, D.Gruznev. M.Mori, T.Tambo, C.Tatsuyama 講演予稿集No.3, p.??(30a-YD-1).

・Modification in InSb growth behavior by In(4x1) surface phase on Si(111) D.Gruznev. B.V.Rao, M.Mori, T.Tambo, C.Tatsuyama 講演予稿集No.1, p.331(30a-P13-9).

・SrOバッファ層を用いたSi基板上へのBSCO薄膜のエピタキシャル成長 清水淳史、松田晶詳、丹保豊和、龍山智榮 講演予稿集No.1, p.243(30p-E-10).

・SrOバッファ層を用いたSi基板上へのBi2Sr2CuOx薄膜の二段階成長 松田晶詳、清水淳史、丹保豊和、龍山智栄 講演予稿集No.１, p.200(5a-L-22).

国際会議発表 ・Sb Adsorption on Si(111)-In(4x1) surfaace phase. B.V.Rao, D.Gruznev, T.Tambo, C.Tatsuyama, 10th International Conference on Solid Films and Surfaces (July 9-13, 2000. Princeton University, Princeton, USA).