国内学会発表

　　春季第48回応用物理学関係連合講演会

　　秋季第62回応用物理学会学術講演会

　　電気関係学会北陸支部連合大会

　　応用物理学会北陸・信越支部学術講演会

国際会議発表

研究会発表

その他

Published Papers

国内学会発表

2001年春季第48回応用物理学関係連合講演会
　　　(平成13年3月28-31日、明治大学、駿河台キャンパス) 

・AlSb/Si(001)基板上へのInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
　 　赤江尚徳、魚谷一成、藤本直樹、森雅之、丹保豊和、龍山智榮
　　 講演予稿集No.1, p.346.(29p-G-8).

・Surface reconstructions during Sb adsorption on Si(111)-In(√3x√3)
　 　B.V.Rao, D.Gruznev, M.Mori, T.Tambo, C.Tatsuyama
　 　講演予稿集No.2, p.675.(30p-ZM-13).

・In adsorption on Sb-covered Si(111) surface
　 　D.Gruznev, B.V.Rao, M.Mori, T.Tambo, C.Tatsuyama
　 　講演予稿集No.2, p.675.(30p-ZM-12).

2001年度(平成13年)秋季第62回応用物理学会学術講演会
　　　(平成13年9月11-14日、愛知工業大学)

・Ge(001)-In(nx4)表面におけるSb吸着による表面再構成
　　　杉田直樹、D.V.Gruznev、古川雄三、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　　　講演予稿集No.2、p.482 .(12a-P5-10)

・Comparative study of (Si12/Ge1)20 superlattice and LT-Si buffers for the growth of Si0.75Ge0.25 alloy layers
　　　M.M.Rahman, K.Kurumatani, H.Matada, T.Tambo, C.Tatsuyama
　　　講演予稿集No.1、pp.306 (12p-S-12)

平成13年度電気関係学会北陸支部連合大会
　　　(平成13年10月13、14日、富山商船高等専門学校)

・短周期(Si14/Ge1)20超格子および低温成長Siをバッファー層に用いたSiGe合金層の成長
　　　車谷健太郎、M.M.Rahman、橋立貴也、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　　　講演予稿集pp.249（D-12)

・Formation of the ultra-thin InSb layer with (√7x√7) lattice on the Si(111) substrate
　　　D.V.Gruznev, B.V.Rao, M.Mori, T.Tambo, C.Tatsuyama, V.G.Lifshits
　　　講演予稿集pp.250 (D-13)

・Ge(001)-In(nx4)基板上のSb吸着による表面再構成構造の変化
　　　杉田直樹、D.Gruznev、古川雄三、吉田公彦、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　　　講演予稿集pp.251 (D-14)

平成13年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
　　　(平成13年12月8、9日、長岡技術科学大学)

・Si基板上のSiO2箔のSr照射による還元
　　　松田晶詳、B.M.N.Kabir、安村毅、丹保豊和、龍山智栄
　　　講演予稿集pp.140 (2G-9)

国際会議発表

・Sb Adsorption on Si(111)-In(4x1) surfaace phase.
 B.V.Rao, D.Gruznev, T.Tambo, C.Tatsuyama,
10th International Conference on Solid Films and Surfaces
(July 9-13, 2000. Princeton University, Princeton, USA).

 ・Formation of Si(111)-InSb(2x2) surface phase.
 D.Gruznev, B.V.Rao, M.Mori, T.Tambo, C.Tatsuyama :
the Fourth Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces,
Nagoya Japan, Nov. (2000)
 
・Smoothening of Si0.75Ge0.25 alloy surface using 1-step short period (Si14/Ge1)20 superlattice.
M.M.Rahman, H.Matada, T.Tambo and C.Tatsuyama :
the Fourth Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces,
Nagoya Japan, Nov. (2000)

・Structural transformation during Sb adsorption on Si(111)-In(4x1) reconstruction.
B.V.Rao, D.Gruznev, T.Tambo and C.Tatsuyama :
the 8th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy and Asian SPM(3),
Atagawa Japan, Dec. (2000)

・Interface formation between S/GaS and diamond films.
M.Mori, K.Tsukada, T.Tambo, C.Tatsuyama, T.Ito;
the 3rd International Symposium on Diamond Electronic Devices(ISDED-3),
Osaka Japan, Jan. (2001)

・MBE Grown Short-period (Sim/Gen)N Superlattices(SSLs) and itsEffect on the Growth of Si0.75Ge0.25/(SSLs)/Si(001) Systems.
M.M.Rahman, H.Matada, T.Tambo and C.Tatsuyama :
the European Material Conference(E-MRS) 2001 Spring Meeting, D
Strasbourg France, June (2001)

・Surface Structure Evolution during Sb Adsorption on Si(111)-In(4x1) Reconstruction.
B.V.Rao, D.Gruznev, T.Tambo and C.Tatsuyama :
8th Int. Conf. of Semiconductor Interfaces,
Sapporo Japan, June (2001)
 

研究会発表

・集積化VOCセンサの高感度化.
角崎雅博、藤城敏史、谷野克己、龍山智栄、小森、谷口 :
電気化学会化学センサ研究会第32回化学センサ研究発表会予稿集 (Chemical Sensors,
Proc. of the 32th Chemical Sensor  Symposium), Vol.15, Supplement B, (2001)
　
・Si(111)面のIn誘起表面再構成上へのSbの吸着.
D. Gruznev・B. V. Rao・古川雄三・森　雅之・ 丹保豊和・龍山智栄 :
電子情報通信学会、電子部品・材料研究会（CPM）、（信州大学工学部、Oct. (2001)）

その他

Published Papers

・Interface formation between GaS and CVD diamond films.
A.B.M.O.Islam, Y.Nishiyama, T.Tambo, C.Tatsuyama and T.Ito..
Surf. Sci. Vol.448 (2000) pp.1-10. 
 
・In-Situ Annealing of Thin SrO Films Grown on Si(001)-2x1 by Molecular Beam Epitaxy.
T.Tambo, A.Shimizu, A.Matsuda, C.Tatsuyama :
Jpn. J. Appl. Phys. 39 : pp.6432-6434(2000)

・Sb Adsorption on Si(111)-In(4x1) Surface Phase.
B.V.Rao, D.Gruznev, T.Tambo, C.Tatsuyama :
Appl. Surf. Sci. 175-176 : pp.187-194(2001)

・Role of Short Period Superlattice Buffers for the Growth of Si0.75Ge0.25 Alloy Layers on Si(001).
M.M.Rahman, H.Matada, T.Tambo, C.Tatsuyama :
Appl. Surf. Sci. 175-176 : pp.6-11(2001)

・Heteroepitaxial Growth of High Quality InSb on Si(111) Substrates.
B.V.Rao, D.Gruznev, T.Tambo, C.Tatsuyama :
Semiconductor Science & Technology 16 : pp.216-221(2001)

・Growth of High-Quality InSb Films on Si(111) Substrates without Buffer Layers.
B.V.Rao, D.Gruznev, T.Tambo, C.Tatsuyama :
J. Crystal Growth 224 : pp.316-322(2001)

・Stractual Transformations during Sb Adsorption on Si(111)-In(4x1)  Reconstruction.
B.V.Rao, D.Gruznev, T.Tambo, C.Tatsuyama :
Jpn. J. Appl. Phys. 40 : pp.4303-4308(2001)

・Growth of Si0.75Ge025 Alloy Grown on Si(001) Substrates using Step-Graded Short-Period (Sim/Gen)N Superlattices.
M.M.Rahman, H.Matada, T.Tambo, C.Tatsuyama :
J. Appl. Phys. 90 : pp.202-208(2001)

・Development of SnO2-based Gas Sensors for Detection of Volatile Organic  Compounds,
M. Kadosaki, S. Yamazaki, S. Fujiki, K. Tanino, C. Tatsuyama :
Trans. IEE of Japan 121-E : pp.395-401(2001).

・Twinned InSb molecular Layer on Si(111) Substrate.
B.V.Rao, D.Gruznev, M.Mori, T.Tambo, C.Tatsuyama :
Surf. Sci. 493(1-3 pp373-380 (2001)

・Stability of 2-step-Growth Bi2Sr2CuOx Films on Si(001) using SrO Buffer Layer.
T.Tambo, A.Shimizu, A.Matsuda, C.Tatsuyama :
Jpn. J. Appl. Phys. Part１, 39(11), pp6432-6434 (2000)

・Interface formation between S/GaS and diamond films.
M.Mori, K.Tsukada, T.Tambo, C.Tatsuyama and T.Ito :
New Diamond and Frontier Carbon Technologies 11 : pp.331-338 (2001)