平成14年における研究活動状況

平成14年度(2002年)

国内学会発表

　　春季第49回応用物理学関係連合講演会

　　秋季第63回応用物理学会学術講演会

　　応用物理学会北陸・信越支部学術講演会

研究会発表

その他

国際会議発表

Published Papers

国内学会発表

2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会
　　　(3月27-31日、東海大学湘南校舎)

・Formation of In nanodots on the corrugation of Si(111)-Sb(5√3x5√3) surface phase
　　D.V.Gruznev, Y.Furukawa, K.Omura, M.Saitoh, M.Mori, T.Tambo, V.G.Lifshits, C.Tatsuyama
　　講演予稿集No.2, p.641(28a-YD-7).

・Reduction of SiO₂ layer on Si substrate by using Sr exposure
　　M.N.K.Bhuiyan, A.Matsuda, T.Yasumura, T.Tambo, C.Tatsuyama
　　講演予稿集No.1, p.262(29p-ZB-1).

2002年(平成14年)秋季第63回応用物理学会学術講演会
　　　(9月24-30日、新潟大学五十嵐キャンパス)

・H⁺ exposed (Si^₁₄/Ge₁)₂₀ superlattice buffer for the growth of Si_0.75Ge_0.25 alloy layers
　　M.M.Rahman, K.Kurumatani, T.Tambo, C.Tatsuyama
　　講演予稿集No.1, p.374(26a-P11-21).

・Si(001)-In(4x3)表面上におけるSb吸着過程
　　古川雄三、D.V.Gruznev、森春樹、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　　講演予稿集No.1, p.288(25p-YD-10).

・Si(001)基板上へのAlSbバッファ層を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
　　藤本直樹、村田和範、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　　講演予稿集No.1, p.294(26a-YD-12)

平成14年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
　　　(12月14-15日、富山県立大学工学部)

・Growth of SrTiO₃ thin films on Si(001) substrate with SrO buffer layer by molecular beam epitaxy
　　M.N.K.Bhuiyan, A.Matsuda, T.Tasumura, T.Tambo, C.Tatsuyama
　　講演予稿集, p.??(2A-7).

・Si(111)-In(√3x√3)面上へのSb吸着による表面構造の変化
　　斎藤光史、D.V.Gruznev、大村一剛、塚林俊二、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　　講演予稿集, p.??(2a-8).

・InSb/Si(001)界面形成におけるSi(001)-In(4x3)表面のSiサブストラクチャーの役割
　　古川雄三、D.V.Gruznev、森春樹、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　　講演予稿集, p.??(2A-9)

研究会発表

その他

・MBE growth of Si_0.75Ge_0.25 alloy layers using (Si₁₄Ge₁)₂₀ and (Si₂₈Ge₂)₁₀ short-period superlattices
　　M.M.Rahman, K.Kurumatani, T.Tambo, C.Tatsuyama
　　電子情報通信学会、電子部品・材料研究会(CPM)報告 102：65-69　(2002).

国際会議発表

・Atomic structure and formation process of the Si(111)-Sb(√7x√7) ssurface phase,
　　D.V.Gruznev, B.V.Rao, Y.Furukawa, M.Mori, T.Tambo, V.G.Lifshits, C.Tatsuyama:
　　11th International Conference on Solid Films and Surfaces,
　　Marseille, France, Jul. (2002).

・Sb interaction with Si(111)-In(√3x√3) surface: Formation of γ(√3x√3) and (√7x√7) phases,
　　D.V.Gruznev, M.Saito, K.Ohmura, M.Mori, T.Tambo, V.G.Lifshits, C.Tatsuyama:
　　5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces,
　　Vladivostok, Russia, Sep. (2002).

・Adsorption of In and Sb on Si(001) and Ge(001) surfaces,
　　D.V.Gruznev, Y.Furukawa, M.Mori, T.Tambo, V.G.Lifshits, C.Tatsuyama:
　　5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces,
　　Vladivostok, Russia, Sep. (2002).

・Interface formation between GaS and diamond,
　　M.Mori, K.Tsukada, Y.Okino, A.B.M.O.Islam, T.Tambo, C.Tatsuyama:
　　5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces,
　　Vladivostok, Russia, Sep. (2002).

・X-ray diffraction analysis of Bi₂Sr₂CuO_x films on Si(001) with SrO buffer layer,
　　T.Tambo, A.Shimizu, A.Matuda, M.N.K.Buhiyan, C.Tatsuyama:
　　5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces,
　　Vladivostok, Russia, Sep. (2002).

・Study of Sb condensation on Ge(001)-In(nx4) and Si(001)-In(3x4) surfaces,
　　D.V.Gruznev, Y.Furukawa, N.Sugita, M.Mori, T.Tambo, V.G.Lifshits, C.Tatsuyama:
　　4th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces,,
　　Karuizawa, Japan, Oct. (2002).

・Heteroepitaxial growth of InSb films on a Si(001) substrate via AlSb buffer layer,
　　M.Mori, N.Akae, K.Uotani, N.Fujimoto, T.Tambo, C.Tatsuyama:
　　4th Interfational Symposium on Control of Semiconductor Interfaces,
　　Karuizawa, Japan, Oct. (2002).

・Study of epitaxial SrTiO₃ (STO) thin films grown on Si(001)-2x1 substrates by molecular beam epitaxy,
　　M.N.K.Bhuiyan, A.Matsuda, T.Yasumura, T.Tambo, C.Tatsuyama:
　　4th Interfational Symposium on Control of Semiconductor Interfaces,
　　Karuizawa, Japan, Oct. (2002).

・Growth of high-quality Si_0.75Ge_0.25 alloy layers using hydrogen exposed (Si₁₄Ge₁)₂₀ buffer layers,,
　　M.M.Rahman, T.Tambo, C.Tatsuyama:
　　Seminar on nanotechnology for fabrication of hybrid materials and 4th Japanese-Polish joint seminar on material analysis,
　　Tateyama, Japan, Nov. (2002).

Published Papers

・Stability of Two-Step-Growth Bi2Sr2CuOx films on Si(001) using SrO buffer layer,
　　T.Tambo, A.Shimizu, A.Matsuda, C.Tatsuyama:
　　Jpn.J.Appl.Phys. 41, pp.83-85 (2002).

・MBE grown short-period (SimGen)N superlattice (SSLs) and its effect on the growth of uniform Si0.75Ge0.25/(SSL)/Si(001) system,
　　M.M.Rahman, K.Kurumatani, H.Matada, T.Tambo , C.Tatsuyama:
　　Mater.Sci. and Technol. B89, pp.252-256 (2002).

・Surface structure evolution duirng Sb adsorption on Si(111)-In(4x1) reconstruction,
　　D.V.Gruznev, B.V.Rao, T.Tambo, C.Tatsuyama:
　　Appl.Surf.Sci. 190, pp.134-138 (2002).

・Short-period (Si4/Ge1)N superlattice buffers for growth of Si0.75Ge0.25 alloy layer,
　　M.M.Rahman, K.Kurumatani, H.Matada, T.Tambo, C.Tatsuyama:
　　Jpn.J.Appl.Phys. 41, pp.2845-2850 (2002).

・Study of Sb condensation on Ge(001)-In(nx4) and Si(001)-In(3x4) surfaces,
　　D.V.Gruznev, Y.Furukawa, N.Sugita, M.Mori, T.Tambo, V.G.Lifshits, C.Tatsuyama:
　　Appl.Surf.Sci. (accepted).

国内学会発表

・Formation of In nanodots on the corrugation of Si(111)-Sb(5√3x5√3) surface phase D.V.Gruznev, Y.Furukawa, K.Omura, M.Saitoh, M.Mori, T.Tambo, V.G.Lifshits, C.Tatsuyama 講演予稿集No.2, p.641(28a-YD-7).

・Reduction of SiO2 layer on Si substrate by using Sr exposure M.N.K.Bhuiyan, A.Matsuda, T.Yasumura, T.Tambo, C.Tatsuyama 講演予稿集No.1, p.262(29p-ZB-1).

・H+ exposed (Si14/Ge1)20 superlattice buffer for the growth of Si0.75Ge0.25 alloy layers M.M.Rahman, K.Kurumatani, T.Tambo, C.Tatsuyama 講演予稿集No.1, p.374(26a-P11-21).

・Si(001)-In(4x3)表面上におけるSb吸着過程 古川雄三、D.V.Gruznev、森春樹、森雅之、丹保豊和、龍山智栄 講演予稿集No.1, p.288(25p-YD-10).

・Si(001)基板上へのAlSbバッファ層を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 藤本直樹、村田和範、森雅之、丹保豊和、龍山智栄 講演予稿集No.1, p.294(26a-YD-12)

・Growth of SrTiO3 thin films on Si(001) substrate with SrO buffer layer by molecular beam epitaxy M.N.K.Bhuiyan, A.Matsuda, T.Tasumura, T.Tambo, C.Tatsuyama 講演予稿集, p.??(2A-7).

・Si(111)-In(√3x√3)面上へのSb吸着による表面構造の変化 斎藤光史、D.V.Gruznev、大村一剛、塚林俊二、森雅之、丹保豊和、龍山智栄 講演予稿集, p.??(2a-8).

・InSb/Si(001)界面形成におけるSi(001)-In(4x3)表面のSiサブストラクチャーの役割 古川雄三、D.V.Gruznev、森春樹、森雅之、丹保豊和、龍山智栄 講演予稿集, p.??(2A-9)

研究会発表

その他

・MBE growth of Si0.75Ge0.25 alloy layers using (Si14Ge1)20 and (Si28Ge2)10 short-period superlattices M.M.Rahman, K.Kurumatani, T.Tambo, C.Tatsuyama 電子情報通信学会、電子部品・材料研究会(CPM)報告 102：65-69 (2002).

国際会議発表

・Atomic structure and formation process of the Si(111)-Sb(√7x√7) ssurface phase, D.V.Gruznev, B.V.Rao, Y.Furukawa, M.Mori, T.Tambo, V.G.Lifshits, C.Tatsuyama: 11th International Conference on Solid Films and Surfaces, Marseille, France, Jul. (2002).

・Sb interaction with Si(111)-In(√3x√3) surface: Formation of γ(√3x√3) and (√7x√7) phases, D.V.Gruznev, M.Saito, K.Ohmura, M.Mori, T.Tambo, V.G.Lifshits, C.Tatsuyama: 5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces, Vladivostok, Russia, Sep. (2002).

・Adsorption of In and Sb on Si(001) and Ge(001) surfaces, D.V.Gruznev, Y.Furukawa, M.Mori, T.Tambo, V.G.Lifshits, C.Tatsuyama: 5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces, Vladivostok, Russia, Sep. (2002).

・Interface formation between GaS and diamond, M.Mori, K.Tsukada, Y.Okino, A.B.M.O.Islam, T.Tambo, C.Tatsuyama: 5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces, Vladivostok, Russia, Sep. (2002).

・Study of Sb condensation on Ge(001)-In(nx4) and Si(001)-In(3x4) surfaces, D.V.Gruznev, Y.Furukawa, N.Sugita, M.Mori, T.Tambo, V.G.Lifshits, C.Tatsuyama: 4th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces,, Karuizawa, Japan, Oct. (2002).

・Heteroepitaxial growth of InSb films on a Si(001) substrate via AlSb buffer layer, M.Mori, N.Akae, K.Uotani, N.Fujimoto, T.Tambo, C.Tatsuyama: 4th Interfational Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, Japan, Oct. (2002).

・Study of epitaxial SrTiO3 (STO) thin films grown on Si(001)-2x1 substrates by molecular beam epitaxy, M.N.K.Bhuiyan, A.Matsuda, T.Yasumura, T.Tambo, C.Tatsuyama: 4th Interfational Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, Japan, Oct. (2002).

・Growth of high-quality Si0.75Ge0.25 alloy layers using hydrogen exposed (Si14Ge1)20 buffer layers,, M.M.Rahman, T.Tambo, C.Tatsuyama: Seminar on nanotechnology for fabrication of hybrid materials and 4th Japanese-Polish joint seminar on material analysis, Tateyama, Japan, Nov. (2002).