国内学会発表

　　秋季第64回応用物理学会学術講演会

　　電気関係学会北陸支部連合大会

　　応用物理学会北陸・信越支部学術講演会

研究会発表

その他

国際会議発表

Published Papers
 

国内学会発表

2003年(平成15年)秋季第64回応用物理学会学術講演会
　　　(8月30-2日、福岡大学 七隈キャンパス)

・Sr照射によるSi(001)-Sr(2x1)構造の作製
　 　M.N.K.Bhuiyan、木村博昭、丹保豊和、龍山智栄
　 　講演予稿集No.2, p.469(30a-T-8).

・Sb(4x2) reconstruction of the Si(100) surface
　 　Dimitri Grouznev、大村一剛、丹保豊和、森雅之、Victor Lifshits、龍山智栄
　 　講演予稿集No.2, p.594(1a-ZC-6).

・Si(001)基板上へのAlSbバッファ層を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
　 　村田和範、藤本直樹、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　 　講演予稿集No.1, p.582(2a-ZA-3)

平成15年度電気関係学会北陸支部連合大会
　　　(9月21-22日、富山県立大学 )

・Si(001)基板上へのAlSbバッファー層を介したエピタキシャルInSb薄膜の成長
　 　村田和範、藤本直樹、森雅之、丹保豊和、龍山智榮
　 　講演予稿集 p.180(D-11).

・Structure of Sb/Si(001) interface modified by In(4x3) surface reconstruction
　 　D.V.Gruznev、大村一剛、古川雄三、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　 　講演予稿集 p.182(D-13).

・Study of epitaxial Bi2Sr2Cuox films grown on Si(001)-(2x1) substrates by molecular beam epitaxy (MBE)
　 　M.N.K.Bhuiyan、A.Matsuda、T.Yasumura、T.Tambo、C.Tatsuyama
　 　講演予稿集 p.183(D-14)

・Growth of high-quality Si0.75Ge0.25 alloy layers using short-period superlattice buffer
　 　M.M.Rahman、T.Tambo、C.Tatsuyama
　 　講演予稿集 p.184(D-15).

平成15年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
　　　(12月13-14日、北陸先端大学院大学)

・Si(111)-(7x7)表面上におけるInナノクラスター配列構造上へのSbの吸着
　 　斉藤光史、竹内知佳、森雅之、丹保豊和、龍山智榮
　 　講演予稿集, p.41(2B-7).

・Si(111)基板上のbi-layer InSbの形成
　 　D.V.Gruznev、大村一剛、和田肇、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　 　講演予稿集, p.42(2B-8).

・Structural characterization of Si0.75Ge0.25 alloy layers with Sb/Ge mediated LT-Si buffer
　 　M.M.Rahman、S.Q.Zhang、M.Kawashima、T.Tambo、C.Tatsuyama
　 　講演予稿集, p.52(1C-6)

研究会発表

その他

・High-resolution x-ray diffraction study of Si0.75Ge0.25 alloy layers with Sb mediated LT-Si buffers
　 　M.M.Rahman、鄭樹啓、丹保豊和、龍山智栄
　 　電子情報通信学会、電子部品・材料研究会(CPM)報告 132：1-5　(2003)

.・Preparation of Bi2Sr2CuOx films on SrTiO3/SrO buffered Si(001) substrates by molecular beam epitaxy technique
　 　M.N.K.Bhuiyan、松田晶詳、安村毅、丹保豊和、龍山智栄
　 　電子情報通信学会、電子部品・材料研究会(CPM)報告 139：39-43　(2003).

・Structure and formation process of mixed Si(001)-Sb(8x2)+(4x2) surface reconstruction
　 　Dimitry V.Gruznev、大村一剛、古川雄三、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　 　電子情報通信学会、電子部品・材料研究会(CPM)報告 140：45-49　(2003).

国際会議発表 

・H+ mediated (Si14/Ge1)20 superlattice buffer for the growth of Si0.75Ge0.25 alloy layers with low residual strain,
　 　M.M.Rahman, T.Tambo and C.Tatsuyama:
　 　7th International Conference on Atomically Controlled Surface, Interfaces and Nanostructures,
　 　Nara, Japan, Jul. (2003).

・Modification of Sb/Si(001) interface by incorporation of In(4x3) surface reconstruction,
　 　D.V.Gruznev, K.Ohmura, M.Mori, V.G.Lifshits, T.Tambo and C.Tatsuyama:
　 　7th International Conference on Atomically Controlled Surface, Interfaces and Nanostructures,
　 　Nara, Japan, Jul. (2003)..

Published Papers

・Atomic Structure and Formation Process of the Si(111)-Sb(√7x√7） Surface Phase,
　 　D.Gruznev, B.V.Rao, Y.Furukawa, M.Mori, T.Tambo and C.Tatsuyama:
　 　Appl. Surf. Sci., 212-213, pp.135-139 (2003).

・Study of epitaxial SrTiO₃ (STO) thin films grown on Si(001)-2x1 substrates by molecular beam epitaxy,
　 　M.N.K.Buhyiyan, A.Matsuda, T.Yasumura, T.Tambo and C.Tatsuyama:
　 　Appl.Surf.Sci. 216, pp.590-595 (2003).

・Heteroepitaxial growth of InSb films on a Si(001) substrate via AlSb buffer layer,
　 　M.Mori, N.Akae, K.Uotani, N.Fujimoto, T.Tambo, C.Tatsuyama:
　 　Appl.Surf.Sci., 216, pp.569-574 (2003).

・Short-period (Si₁₄/Ge_0.75Ge_0.25)₂₀ superlattices for the growth of high-quality Si_0.75Ge_0.25 alloy layers,
　 　M.M.Rahman, T.Tambo and C.Tatsuyama:
　 　Mat. Res. Soc. Symp. Proc.675, pp.193-198 (2003).