平成16年における研究活動状況

平成16年度(2004年)

国内学会発表

　　春季第51回応用物理学関係連合講演会

　　電気関係学会北陸支部連合大会

　　応用物理学会北陸・信越支部学術講演会

研究会発表

その他

国際会議発表

Published Papers

2004年(平成16年)春季第51回応用物理学関係連合講演会
　　　(3月28-31日、東京工科大学片倉キャンパス)

・Si(111)-(7x7)Inナノクラスター配列構造上へのSb吸着
　　斉藤光史、竹内知佳、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　　講演予稿集No.2, p.717(30p-ZC-19).

平成16年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
　　　(12月11-12日、福井大学)

・High temperature oxidation of calcium hexaboride powders,
　　S.Q.Zheng, G.H.Min, Z.D.Zou, C.Tatsuyama:
　　Materials Lett., 58, pp.2586-2589 (2004).

国内学会発表

・2段階成長法によるSi(001)面上へのSrTiO3薄膜の成長 M.N.K.Bhuiyan、木村博昭、丹保豊和、龍山智栄 講演予稿集No.2, p.591(28a-ZL-3).

・Si(111)面上におけるInSb超薄膜の形成 Dimitri Gruznev、大村一剛、和田肇、森雅之、丹保豊和、龍山智栄 講演予稿集No.2, p.717(30p-ZC-18).

・Interdiffusion at Si/SiGe interface analyzed by high-resolution X-ray diffraction S.Q.Zheng, M.Kawashima, M.Mori, T.Tambo, C.Tatsuyama 講演予稿集, p.8(A-6).

・Si(111)-(7x7)表面上のInナノクラスター配列構造上へのSbの吸着 佐々木寛和、斉藤光史、佐々木透、森雅之、丹保豊和、龍山智栄 講演予稿集, p.9(A-7).

研究会発表

その他

・Si(111)-(7x7)再構成表面上におけるInナノクラスター配列構造上へのSb吸着 斉藤光史、佐々木寛和、佐々木透、森雅之、丹保豊和、龍山智栄 電子情報通信学会、電子部品・材料研究会(CPM)報告 136：7-11 (2004)

国際会議発表

・Solid phase epitaxial growth of SrTiO3 thin films on Si(001) substrates at low temperature, M.N.K.Bhuiyan, H.Kimura, T.Tambo and C.Tatsuyama 2004 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices: Science and Technology, Tokyo, Japan, May (2004).

・Growth temperature dependence of SrTiO3 thin films by MBE, M.N.K.Bhuiyan, H.Kimura, T.Tambo and C.Tatsuyama 2004 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, Niigata, Japan, Jun. (2004).

・Sb adsorption onto Si(111)-(7x7)-In nanocluster array structure, M.Saito, C.Takeuchi, M.Mori, T.Tambo and C.Tatsuyama 11th International Conference on Solid Films and Surfaces, Hamamatsu, Japan, Jun (2004).

・Perovskite-Type SrTiO3 Thin Films on Si(001) Substrates Grown by Molecular Beam Epitaxy, M.N.K.Bhuiyan, H.Kimura, T.Tambo and C.Tatsuyama 6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, Toyama, Japan, Oct. (2004).

・Sb adsorption onto In nanocluster array structure on the Si(111)-(7x7), M.Saito, C.Takeuchi, H.Sasaki, T.Sasaki, M.Mori, T.Tambo and C.Tatsuyama 6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, Toyama, Japan, Oct. (2004).

・Influence of UTA-Si buffer layers on the growth of SiGe films analyzed by high resolution X-ray reciprocal space map, S.W.Zheng, M.M.Rahman, M.Kawashima, M.Mori, T.Tambo and C.Tatsuyama 6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, Toyama, Japan, Oct. (2004).

・Heteroepitaxy of InSb films grown on a Si(001) substrate with AlSb buffer layer M.Mori, N.Fujimoto, N.Akae, K.Uotani, T.Tambo and C.Tatsuyama 6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, Toyama, Japan, Oct. (2004).

・Heteroepitaxially grown InSb films on a Si(001) substrate covered with thin AlSb layer, K.Murata, M.Mori, N.Fujimoto, T.Tambo and C.Tatsuyama 6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, Toyama, Japan, Oct. (2004).

・Growth of Sb nanoclusters on In/Si(111) surfaces, D.V.Gruznev, K.Ohmura, M.Saito, S.Tsukabayashi, T.Tambo and C.Tatsuyama 6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, Toyama, Japan, Oct. (2004).

Published Papers

・Solid phase epitaxial growth of SrTiO3 thin films on Si(001) substrates at low temperature, M.N.K.Bhyiyan, H.Kimura, T.Tambo and C.Tatsuyama: Jpn. J. Appl. Physi., 43-11B, pp7879-7880 (2004).

・Surface Phases and Processes on Si Surface, V.G.Lifshits, Y.L.Gavrilyuk, D.A.Tsukanov, B.K.Churusov, N.Enebish, S.V.Kuznetsova, S.V.Ryjkov, D.Gruznev and C.Tatsuyama: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (e-JSSNT). 2, pp.56-76 (2004).

・Surfactant mediated growth of Sb clusters on Si(111) surface, D.Gruznev, K.Ohmura, M.Saito, S.Tsukabayashi, T.Tambo, V.G.Lifshits and C.Tatsuyama: J. Cryst. Growth, 269, pp.235-241 (2004).

・Atomic H-mediated (Si14/Ge1)20 superlattice buffers for the growth of Si0.75Ge0.25 alloy layers with low residual strain, M.M.Rahman, T.Tambo and C.Tatsuyama: Thin Solid Films, 464-465, pp.85-89 (2004).

・Modification of Sb/Si(001) interface by incorporation of In(4x3) surface reconstruction, D.V.Gruznev, K.Ohmura, T.Tambo, V.G.Lifshits and C.Tatsuyama: Appl. Surf. Sci., 237, pp.99-104 (2004).

・2段階成長法によるSi(001)面上へのSrTiO₃薄膜の成長
　　M.N.K.Bhuiyan、木村博昭、丹保豊和、龍山智栄
　　講演予稿集No.2, p.591(28a-ZL-3).

・Si(111)面上におけるInSb超薄膜の形成
　　Dimitri Gruznev、大村一剛、和田肇、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　　講演予稿集No.2, p.717(30p-ZC-18).

・Interdiffusion at Si/SiGe interface analyzed by high-resolution X-ray diffraction
　　S.Q.Zheng, M.Kawashima, M.Mori, T.Tambo, C.Tatsuyama
　　講演予稿集, p.8(A-6).

・Si(111)-(7x7)表面上のInナノクラスター配列構造上へのSbの吸着
　　佐々木寛和、斉藤光史、佐々木透、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　　講演予稿集, p.9(A-7).

・Si(111)-(7x7)再構成表面上におけるInナノクラスター配列構造上へのSb吸着
　　斉藤光史、佐々木寛和、佐々木透、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　　電子情報通信学会、電子部品・材料研究会(CPM)報告 136：7-11　(2004)

・Solid phase epitaxial growth of SrTiO₃ thin films on Si(001) substrates at low temperature,
　　M.N.K.Bhuiyan, H.Kimura, T.Tambo and C.Tatsuyama
　　2004 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices: Science and Technology,
　　Tokyo, Japan, May (2004).

・Growth temperature dependence of SrTiO₃ thin films by MBE,
　　M.N.K.Bhuiyan, H.Kimura, T.Tambo and C.Tatsuyama
　　2004 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies,
　　Niigata, Japan, Jun. (2004).

・Sb adsorption onto Si(111)-(7x7)-In nanocluster array structure,
　　M.Saito, C.Takeuchi, M.Mori, T.Tambo and C.Tatsuyama
　　11th International Conference on Solid Films and Surfaces,
　　Hamamatsu, Japan, Jun (2004).

・Perovskite-Type SrTiO3 Thin Films on Si(001) Substrates Grown by Molecular Beam Epitaxy,
　　M.N.K.Bhuiyan, H.Kimura, T.Tambo and C.Tatsuyama
　　6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces,
　　Toyama, Japan, Oct. (2004).

・Sb adsorption onto In nanocluster array structure on the Si(111)-(7x7),
　　M.Saito, C.Takeuchi, H.Sasaki, T.Sasaki, M.Mori, T.Tambo and C.Tatsuyama
　　6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces,
　　Toyama, Japan, Oct. (2004).

・Influence of UTA-Si buffer layers on the growth of SiGe films analyzed by high resolution X-ray reciprocal space map,
　　S.W.Zheng, M.M.Rahman, M.Kawashima, M.Mori, T.Tambo and C.Tatsuyama
　　6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces,
　　Toyama, Japan, Oct. (2004).

・Heteroepitaxy of InSb films grown on a Si(001) substrate with AlSb buffer layer
　　M.Mori, N.Fujimoto, N.Akae, K.Uotani, T.Tambo and C.Tatsuyama
　　6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces,
　　Toyama, Japan, Oct. (2004).

・Heteroepitaxially grown InSb films on a Si(001) substrate covered with thin AlSb layer,
　　K.Murata, M.Mori, N.Fujimoto, T.Tambo and C.Tatsuyama
　　6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces,
　　Toyama, Japan, Oct. (2004).

・Growth of Sb nanoclusters on In/Si(111) surfaces,
　　D.V.Gruznev, K.Ohmura, M.Saito, S.Tsukabayashi, T.Tambo and C.Tatsuyama
　　6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces,
　　Toyama, Japan, Oct. (2004).

・Solid phase epitaxial growth of SrTiO3 thin films on Si(001) substrates at low temperature,
　　M.N.K.Bhyiyan, H.Kimura, T.Tambo and C.Tatsuyama:
　　Jpn. J. Appl. Physi., 43-11B, pp7879-7880 (2004).

・Surface Phases and Processes on Si Surface,
　　V.G.Lifshits, Y.L.Gavrilyuk, D.A.Tsukanov, B.K.Churusov, N.Enebish, S.V.Kuznetsova, S.V.Ryjkov, D.Gruznev and C.Tatsuyama:
　　e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (e-JSSNT). 2, pp.56-76 (2004).

・Surfactant mediated growth of Sb clusters on Si(111) surface,
　　D.Gruznev, K.Ohmura, M.Saito, S.Tsukabayashi, T.Tambo, V.G.Lifshits and C.Tatsuyama:
　　J. Cryst. Growth, 269, pp.235-241 (2004).

・Atomic H-mediated (Si₁₄/Ge₁)₂₀ superlattice buffers for the growth of Si_0.75Ge_0.25 alloy layers with low residual strain,
　　M.M.Rahman, T.Tambo and C.Tatsuyama:
　　Thin Solid Films, 464-465, pp.85-89 (2004).

・Modification of Sb/Si(001) interface by incorporation of In(4x3) surface reconstruction,
　　D.V.Gruznev, K.Ohmura, T.Tambo, V.G.Lifshits and C.Tatsuyama:
　　Appl. Surf. Sci., 237, pp.99-104 (2004).