国内学会発表

　　春季第52回応用物理学関係連合講演会

　　秋季第66回応用物理学会学術講演会

　　電気関係学会北陸支部連合大会

　　応用物理学会北陸・信越支部学術講演会

研究会発表

その他

国際会議発表

Published Papers
 

国内学会発表

2005年(平成17年)春季第52回応用物理学関係連合講演会
　　　(3月29-1日、埼玉大学 )

・UTA-Siを用いたSi(001)基板上におけるSi_0.75Ge_0.25合金層のMBE成長
　 　川島将英、M.M.Rahman、鄭樹起、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　 　講演予稿集No.1, p.435(31a-ZL-3).

・Si(111)-(7x7)再構成上におけるInナノクラスター配列構造上へのSbの吸着
　 　斉藤光史、佐々木寛和、佐々木透、森雅之、Victor Lifshits、龍山智栄
　 　講演予稿集No.2, p.757(29p-B-12).

2005年(平成17年)秋季第66回応用物理学会学術講演会
　　　(9月7-11日、徳島大学常三島キャンパス)

・熱アニーリングにおけるSi/SiGeシステムの構造変形
　 　鄭　樹啓、川島将英、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　 　講演予稿集No.1, p.297(8a-P5-4).

・InとSb原子を含む規則正しいナノクラスターの形成
　 　斉藤光史、佐々木寛和、橋本将視、山下勇司、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　 　講演予稿集No.2, p.552(8a-D-5).

平成1７年度電気関係学会北陸支部連合大会
　　　(9月24-25日、石川工業高等専門学校 )

・Si(001)-Sr(2x1)上の高品質SrTiO₃膜の成長
　 　木村博昭、陸田雄也、杉野雅則、塚原寛行、丹保豊和、龍山智榮
　 　講演予稿集 p.180(D-21).

平成1７年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
　　　(12月10-11日、信州大学工学部)

・CNT成長のための微細ニッケル粒子の作成
　 　石間卓也、石原一陽、山口幸哉、丹保豊和、龍山智榮
　 　講演予稿集, p.54(1D-04).

・Si(001)-Sr(2x1)上のMBE成長SrTiO₃薄膜のアニーリング効果
　 　木村博昭、陸田雄也、杉野雅則、塚原寛行、丹保豊和、龍山智栄
　 　講演予稿集, p.55(1D-05).

・Si(111)-(7x7)表面上におけるＩｎナノクラスター配列構造の熱安定性
　 　斉藤光史、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　 　講演予稿集, p.60(2D-02)

・Si(111)基板上へのInSb(111)薄膜の低温成長
　 　村田和範、田村悠、N.B. Ahmad、森雅之、丹保豊和、龍山智栄
　 　講演予稿集, p.61(2D-03).

研究会発表

その他

・Investigations of the structural deformations in Si/SiGe films by AFM and HRXRD
　 　Shuqi Zheng,、M.Kawashima、M.Mori、T.Tambo、C.Tatsuyama
　 　電子情報通信学会、電子部品・材料研究会(CPM)報告 CPM2005-167 (2005)

国際会議発表 

・Formation of nanoclusters containing In and Sb atoms,
　 　M.Saito, H.Sasaki, T.Sasaki, M.Mori, T.Tambo and C.Tatsuyama:
　 　11th International Conference on the Formation of Semiconductor Interface,
　 　Aix-en-Provence, France, Jul. (2005).

・Interdiffusion at Si/SiGe interface analyzed by high-resolution X-ray diffraction,
　 　Shuqi Zheng, M.Kawashima, M.Mori, T.Tambo and C.Tatsuyama:
　 　4th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures,
　 　Awaji Lsland, Hyogo, Japan, May. (2005).

Published Papers

・Two-step growth of SrTiO₃ films on Sr-modulated Si(001) substrate,
　 　M.N.K.Bhuiyan, H.Kimura, T.Tambo and C.Tatsuyama:
　 　J. Materials Sci..: Materials in Electronics 16, pp.225-228 (2005).

・Structural characterization of Si_0.75Ge_0.25 alloy layers with Sb/Ge-mediated LT-Si buffers,
　 　M.M.Rahman, S.Q.Zheng, T.Tambo and C.Tatsuyama:
　 　Jpn. J. Appl. Phys., Vol.44, No.5A, pp.2967-2970 (2005).

・Sb adsorption onto In nanocluster array structure formed on a Si(111)-(7x7),
　 　M.Saito, C.Takeuchi, M.Mori, T.Tambo and C.Tatsuyama:
　 　Appl. Surf. Sci., Vol.244, pp.137-140 (2005).