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 国内学会発表
 春季第53回応用物理学関係連合講演会
応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
国際会議発表
研究会発表
その他
Published Papers
国内学会発表
2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会
(平成18年3月22-26日、武蔵工業大学
・Si(111)基板上へのInSb(111)薄膜の成長温度の影響
村田和範、田村悠、ノルスルヤティービンティーアハマド、森雅之、丹保豊和、龍山智榮
講演予稿集No.1, p.332.(24p-P-16).
・Si(111)-In(2x2)表面相を用いたInSb薄膜のエピタキシャル成長
森雅之、斉藤光史、山下勇司、丹保豊和、龍山智栄
講演予稿集No.1, p..(24p-P-17).
応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
(平成18年11月24-25日、新潟大学 （工学部)
・CNT成長のためのナノニッケル粒子形成の最適化
石原一陽、山口幸哉、新海靖人、森雅之、丹保豊和、前澤宏一
講演予稿集, p.67.(G-07).
・UTA-Siバッファー層を用いたSi1-xGex合金層の最適化
土田正人、Yu Dongwai、川島将英、鄭樹啓、森雅之、丹保豊和、前澤宏一
講演予稿集, p.63.(G-03).
・SrTiO3基板のアニールによる温度依存性
陸田雄也、田村悠、赤井雄介、江尻雄一、丹保豊和、前澤宏一
講演予稿集, p.69.(G-09).
・2段階成長によるSi(111)基板上へのエピタキシャルInSb薄膜の成長
村田和範、ノルスルヤティ・ビンティ・アハマド、三宅誠一、田村悠、森雅之、丹保豊和、前澤宏一
講演予稿集, p..25(C-07).
電子情報通信学会2007年総合大会
(平成19年3月20-23日、名城大学
・Fluidic Self-Assemblyを用いたAlNセラミック上InGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの集積
亀谷直樹(名大), 岸本茂(名大), 前澤宏一, 水谷孝(名大), 赤松和弘(日鉱金属),
中田弘章(日鉱金属)
講演予稿集 p.65.(C-10-2).
・共鳴トンネルデバイス（招待講演）
前澤宏一
講演予稿集 SS-20, p..(CT-1-6).
国際会議発表
・Role of In-Sb bi-layer on the heteroepitaxy of InSb films grown on a
Si(111) substrate
M.Mori, M.Saito, Y.Yamashita, K.Nagashima, M.Hashimoto,T.Tambo, C.Tatsuyama
7th Russia-Japan Seminar on Semiconducter Surfaces,
Vladivostok, Russia, Sep. (2006).
・Growth of InSb thin films on Si(111) at low temperature
K.Murata, N.B.Ahmad, Y.Tamura, M.Mori, T.Tambo, C.Tatsuyama
7th Russia-Japan Seminar on Semiconducter Surfaces,
Vladivostok, Russia, Sep. (2006).
・Heteroepitaxial growth of rotated InSb films on a Si(111) substrate via
In(2x2) surface reconstruction
M.Mori, M.Saito, Y.Yamashita, K.Nagashima, M.Hashimoto,T.Tambo, C.Tatsuyama
4th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
Waseda Univ., Tokyo, Japan, Sep. (2006),
・Low-temperature growth of InSb(111) on Si(111) substrate
K.Murata, N.B.Ahmad, Y.Tamura, M.Mori, C.Tatsuyama, T.Tambo
4th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
Waseda Univ., Tokyo, Japan, Sep. (2006)
研究会発表
・高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器
前澤宏一, 大川洋平(名大), 岸本茂(名大), 水谷孝(名大),
電子情報通信学会電子デバイス研究会,
2007.02.01, 北海道大学
その他
Published Papers
・Heteroepitaxy of InSb films grown on a Si(001) substrate with AlSb buffer layer
M.Mori, N.Fujimoto, N.Akae, K.Uotani, T.Tambo, C.Tatsuyama
J. Cryst. Growth, Vol.286 (2006) pp.218-222.
・Interdiffusion at Si/SiGe interface analized by high-resolution X-ray
diffraction
Shuqi Zheng, M.Kawashima, M.Mori,T.Tambo, C.Tatsuyama
Shin Solid Films 508 (2006) pp.156-159
・Formation of nanoclusters containing In and Sb atoms,
M.Saito, H.Sasaki, T.Sasaki, M.Mori, T.Tambo and C.Tatsuyama:
J. Phys. IV France 132, (2006) pp.141-145.
･Low-temperature growth of InSb(111) on Si(111) substrate
K.Murata, N.B.Ahmad, Y.Tamura, M.Mori, C.Tatsuyama, T.Tambo
J. Cryst. Growth 301-302 (2007) pp.203-206.
･Heteroepitaxial growth of rotated InSb films on a Si(111) substrate via
Si(111)-2x2-In surface reconstruction
M.Mori, M.Saito, Y.Yamashita, K.Nagashima, M.Hashimoto, C.Tatsuyama,
T.Tambo
J. Cryst. Growth 301-302 (2007) pp.207-211.
･Ultrathin amorphous Si layer for the growth of strain relaxed Si0.75Ge0.25 alloy layer
M.M.Rahman, S.Q.Zheng, M.Mori, T.Tambo, C.Tatsuyama
J. Appl. Phys. 100, 053505 (2006).
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