平成19年における研究活動状況

平成19年度(2007年)

国内学会発表

秋季第68回応用物理学会学術講演会

電子情報通信学会2007年ソサイエティ大会

平成19年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会

春季第55回応用物理学関係連合講演会

研究会発表

その他

国際会議発表

Published Papers

国内学会発表

2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会
　　　(9月4-8日、北海道工業大学

・Si(111)-√7×√3-In表面再構成を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
　　長島恭兵、斉藤光史、森雅之、丹保豊和、前澤宏一
　　講演予稿集No.1, p..(7p-E-19).

電子情報通信学会2007年ソサイエティ大会
　　　(平成19年9月10-14日、鳥取大学

・MOBILEを用いたNRZ-DFFとそのFMDSMへの応用
　　室矢祐作(名大）、前澤宏一、水谷孝（名大）
　　 (C-10-8).

・共鳴トンネルダイオードペアを用いた3次高調波発振器
　　大江隆、森雅之、前澤宏一
　　 (C-10-12).

平成19年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
　　　(11月30日～12月1日、富山大学工学部

・Si(111)-√7×√3-In表面再構成を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長と
　その結晶性及び配向性の評価
　　長島恭兵、上田広司、斉藤光史、森雅之、丹保豊和、前澤宏一
　　講演予稿集pp.22.(1C-07).

・CNT成長のためのナノニッケル粒子形成の最適化(2)
　　山口幸哉、川淵貴弘、森雅之、丹保豊和、前澤宏一
　　講演予稿集pp.41.(2C-09).

・InSb単分子層/Si(111)上へのAlSb層の成長
　　新村康成、水谷文也、吉田達雄、上田広司、斉藤光史、森雅之、前澤宏一
　　講演予稿集pp.42.(2C-10).

・共鳴トンネルダイオードペアを用いた3次高調波発振器
　　大江隆、森雅之、前澤宏一
　　講演予稿集pp.59.(2D-13).

春季第55回応用物理学関係連合講演会
　　　(3月27日～3月30日、日本大学船橋キャンパス

・InSb単分子層を介したSi(111)基板上のAlInSb薄膜の成長
　　斉藤光史、森雅之、上田広司、吉田達雄、新村康成、前澤宏一
　　講演予稿集No.1, p..(29p-ZT-1).

研究会発表

電子情報通信学会、電子デバイス研究会
　　　(6月15-16日、富山大学工学部)

・2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長
　　村田和範、ノルスルヤティ・ビンティ・アハマド、田村悠、森雅之、丹保豊和、前澤宏一
　　電子情報通信学会、電子デバイス研究会(ED)報告 ED2007-35, p21-25　(2007).

・Si基板上のInSb単分子初期層を介したInSb薄膜の成長
　　斉藤光史、森雅之、山下勇司、丹保豊和、前澤宏一
　　電子情報通信学会、電子デバイス研究会(ED)報告 ED2007-36, p27-32　(2007).

電子情報通信学会、電子デバイス研究会
　　　(1月30-31日、北海道大学)

・共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化
　　前澤宏一(富山大）、亀谷直樹、(名大)、岸本茂(名大）、水谷孝(名大）、
　　安藤浩哉(豊田高専)、赤松和弘(日鉱金属)、中田弘章(日鉱金属)
　　電子情報通信学会、電子デバイス研究会(ED)報告 ED2007-247, p51-56　(200８).

その他

国際会議発表

・Fluidic Self-Assembly for Heterogeneous Integration
　　K.Maezawa, (Invited talk at the special session)
　　19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
　　(IPRM2007),
　　Matsue, Japan, May 14-18, 2007

・Heteroepitaxial growth of InSb films on a Si(111) substrate with √7x√3-In
　surface reconstruction,
　　M.Mori, M.Saito, K.Nagashima, K.Ueda, T.Tambo, C.Tatsuyama, K.Maezawa:
　　2007 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and
　　Related Nanotechnologies (EM-NANO2007),
　　Nagano, Japan, Jun. 19-22 (2007).

・A GaAs SOI HEMT fabricated using fluidic self-assembly and its application
　to an RF-switch,
　　K.Maezawa, I.Soga, S.Kishimoto, T.Mizutani, K.Akamatsu and H.Nakada:
　　7th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2007),
　　Kisarazu, Japan, Aug. 21-24 (2007).

・Ultra-Short Pulse Generators Using Resonant Tunneling Diodes and Their
　Integration with Antennas on Ceramic Substrates,
　　N. Kamegai¹, S. Kishimoto¹, K. Maezawa², T. Mizutani¹, H. Andoh³, K. Akamatsu⁴
　　 and H. Nakata⁴,
　　 ¹ Nagoya Univ., ² Univ. of Toyama, ³ Toyota National College of Tech. ⁴
　　 Nippon Mining & Metals Co., Ltd.
　　2007 International Conference on　Solid State Devices and Materials (SSDM 2007),
　　Tsukuba, Japan, Sep. 18-21 (2007).

・Heteroepitaxial InSb films grown via Si(111)-√7x√3-In surface reconstruction,
　　M.Mori, M.Saito, K.Nagashima, K.Ueda, Y.Yamashita, C.Tatsuyama, T.Tambo,
　　 K.Maezawa,
　　34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007),
　　Kyoto, Japan, Sep. 15-18 (2007).

・Heteroepitaxial growth of InSb films on a Si(111) substrate by inserting AlSb
　buffer layer,
　　K.Murata, N.B.Ahmad, M.Mori, T.Tambo, K.Maezawa,
　　34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007),
　　Kyoto, Japan, Sep. 15-18 (2007).

・Effect of In and Sb monolayers to form rotated InSb films on Si(111) substrate
　　M.Saito, M.Mori, K.Maezawa
　　5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-5)
　　Tokyo, Japan. Nov. 12-15 (2007)

・Domain structure of InSb films grown on Si(111) substrate
　　K.Murata, N.B.Ahmad, M.Mori, T.Tambo, K.Maezawa
　　5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-5)
　　Tokyo, Japan. Nov. 12-15 (2007)

Published Papers

･High-Power Oscillation in Resonant Tunneling Diode Pair Oscillator ICs Fabricated
　with Metamorphic Devices
　　K.Maezawa, Y.Ookawa, S.Kishimoto, T.Mizutani, M.Takakusaki and H.Nakata
　　Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46, pp. 2306-2308 (2007)

･Effect of the AlSb buffer layer thickness on heteroepitaxial growth of InSb films
　on a Si(001) substrate
　　M.Mori, K.Murata, N.Fujimoto, C.Tatsuyama, T.Tambo
　　Thin Solid Films, Vol. 515, pp. 7861-7865 (2007).

･Structural deformations in the Si/SiGe system induced by thermal annealing
　　Shuqi Zheng, M.Mori, T.Tambo, C.Tatsuyama
　　J. Mater. Sci., Vol. 42 pp.5312-5317 (2007).

国内学会発表

・Si(111)-√7×√3-In表面再構成を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 長島恭兵、斉藤光史、森雅之、丹保豊和、前澤宏一 講演予稿集No.1, p..(7p-E-19).

・Si(111)-√7×√3-In表面再構成を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長と その結晶性及び配向性の評価 長島恭兵、上田広司、斉藤光史、森雅之、丹保豊和、前澤宏一 講演予稿集pp.22.(1C-07).

・CNT成長のためのナノニッケル粒子形成の最適化(2) 山口幸哉、川淵貴弘、森雅之、丹保豊和、前澤宏一 講演予稿集pp.41.(2C-09).

・InSb単分子層/Si(111)上へのAlSb層の成長 新村康成、水谷文也、吉田達雄、上田広司、斉藤光史、森雅之、前澤宏一 講演予稿集pp.42.(2C-10).

・共鳴トンネルダイオードペアを用いた3次高調波発振器 大江隆、森雅之、前澤宏一 講演予稿集pp.59.(2D-13). 春季第55回応用物理学関係連合講演会 (3月27日～3月30日、日本大学船橋キャンパス