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 国内学会発表
 秋季第69回応用物理学会学術講演会
電気関係学会北陸支部連合大会
電子情報通信学会ソサイエティ大会
応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
春季第56回応用物理学関係連合講演会
研究会発表
その他
国際会議発表
Published Papers
国内学会発表
2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
(9月2-5日、中部大学)
・InSb単分子層を介したSi(111)基板上のAlInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
中谷公彦、斉藤光史、上田広司、森雅之、前澤宏一
講演予稿集No.1, (4a-CF-7).
・(111)面パターンを形成したSi(100)基板上へのInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
五十嵐弘樹、森雅之、斉藤光史、岩杉達矢、ﾉﾙｽﾙﾔﾃｨ ﾋﾞﾝﾃｨ ｱﾊﾏﾄﾞ、前澤宏一
講演予稿集No.1, (4a-CF-8).
・HEMTデバイスブロックの超伝導回路への広帯域オンチップ実装技術の提案
奥村崇之、Nirmal Mehta、赤池宏之、藤巻朗、前澤宏一
講演予稿集No.1, (4p-F-6).
平成20年度電気関係学会北陸支部連合大会
(9月12日～9月13日、富山大学工学部）
・高性能FMΔΣ変調器のための線形電圧制御発振器
三宅誠一、森雅之、前澤宏一
(D-18).
2008年電子情報通信学会ソサイエティ大会
(9月16-19日、明治大学 生田キャンパス)
・共鳴トンネルダイオードペアを分散配置したアクティブ伝送線路
前澤宏一、藤城翔、笠原康司、坂本智哉、森雅之
(C-10-14).
・Fluidic Self-Assembly(FSA)のためのInP HEMTブロックの作製
新海靖人、森雅之、前澤宏一、赤松和弘（㈱日鉱金属）
(C-10-22).
平成20年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
(11月21日～11月22日、金沢工業大学
・InSb単分子層を介したSi(111)基板上のAlInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
上田広司、斉藤光史、中谷公彦、森雅之、前澤宏一
(2E-10).
・V字型の（111）面パターンを形成したSi(100)基板上へのInSb薄膜のヘテロエピ
タキシャル成長
岩杉達矢、森雅之、斉藤光史、五十嵐弘樹、N.B.Ahmad、村田和範、前澤宏一
(2E-11).
春季第56回応用物理学関係連合講演会
(3月30日～4月2日、筑波大学
・V字型（111）面パターンを形成したSi(100)基板上へのInSb薄膜のヘテロエピ
タキシャル成長
岩杉達矢、森雅之、斉藤光史、五十嵐弘樹、村田和範、前澤宏一
講演予稿集No.1, p..(2a-J-1).
研究会発表
電子情報通信学会、電子デバイス研究会
(6月13-14日、金沢大学角間キャンパス)
・Fluidic Self-AsssemblyのためのInGaAs系共鳴トンネルデバイスブロック作製技術
前澤宏一(富山大）、亀谷直樹(名大）、岸本茂(名大）、水谷孝(名大）、
赤松和弘(日鉱金属）
電子情報通信学会、電子デバイス研究会(ED)報告 ED2008-34, p67-71 (2008)
・Si(111)-√7×√3-In再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
森雅之、斉藤光史、長島恭兵、上田広司、吉田達雄、前澤宏一
電子情報通信学会、電子デバイス研究会(ED)報告 ED2008-37, p.81-84 (2008)
・Si(111)基板上での30°回転InSb 薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果
斉藤光史、森雅之、上田広司、前澤宏一
電子情報通信学会、電子デバイス研究会(ED)報告 ED2008-38, p.85-89 (2008)
電子情報通信学会、電子デバイス研究会
(2月26-27日、北海道大学）
・ＡｌＮセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器
前澤宏一(富山大)、亀谷直樹(名大）、岸本茂(名大）、水谷孝(名大)、
赤松和弘(日鉱金属)
電子情報通信学会、電子デバイス研究会(ED)報告 ED2008-231, p.41-46 (2009)
その他
国際会議発表
・Heteroepitaxial growth of InSb films on a Si(111) substrate via InSb bi-layer,
M.Mori, M.Saito, K.Nagashima, K.Ueda, T.Yoshida, Y.Shinmura, K.Maezawa:
15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2008),
Vancouver, Canada, Aug. 3-8 (2008) (Poster).
・Heteroepitaxial growth of rotated AlInSb layer mediated by InSb bi-layer
on Si(111) substrate,
M.Saito, M.Mori, K.Ueda, K.Nakatani, K.Maezawa:
35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2008),
Rust, Germany, Sep. 21-24 (2008) (Poster).
・Improved Bias Stability of the RTD-Pair Oscillators Integrated
on an AlN Ceramic Substrate.
K.Maezawa, N.Kamegai, S.Kishimoto, T.Mizutani and K.Akamatsu
2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008),
Tsukuba, Japan, Sep. 23-26 (2008) (Oral).
・High quality InSb films grown on Si(111) substrate via InSb bi-layer
M.Mori, M.Saito, K.Nagashima, K.Ueda, T.Yoshida, C.Tatsuyama, K.Maezawa:
8th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-8),
Sendai, Japan, Oct. 19-23 (2008) (Oral).
・Inprovement of rotated InSb films by additional In adsorption onto initial
InSb bi-layer
M.Saito, M.Mori, C.Tatsuyama, K.Maezawa:
8th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-8),
Sendai, Japan, Oct. 19-23 (2008) (Poster).
・Heteroepitaxial growth of InSb films on V-grooved Si(001) substrate
M.Mori, M.Saito, H.Igarashi, T.Iwasugi, N.B.Ahmad, K.Maezawa:
5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-5),
Tokyo, Japan, Nov. 9-13 (2008) (Poster).
Published Papers
･Ultrashort Pulse Generators Using Resonant Tunneling Diodes and Their
Integration with Antennas on Ceramic Substrates
N.Kamegai, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani, H.Andoh, K.Akamatsu,
and H.Nakata.
Nagoya Univ. Univ.of Toyama, Toyota National College of Tech.,
Nippon Mining & Metals Co. Ltd.
Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 47, No. 4, 2008, pp. 2833-2837
･Heteroepitaxial InSb films grown via Si(111)-√7x√3-In surface reconstruction
M.Mori, M.Saito, K.Nagashima, K.Ueda, Y.Yamashita, C.Tatsuyama, T.Tambo,
K.Maezawa
Phys. Stat. Sol. (c) 5, No.9 (2008) pp.2772-2774.
･Crystal orientations of InSb films on a Si(111) substrate by inserting
AlSb
buffer layer
K.Murata, N.B.Ahmad, M.Mori, T.Tambo, K.Maezawa
Phys. Stat. Sol. (c) 5, No.9 (2008) pp.2778-2780
･Effect of In and Sb monolayers to form rotated InSb films on Si(111) substrate
M.Saito, M.Mori, K.Maezawa
Appl. Surf. Sci., 254 (2008) pp.6052-6054.
･A GaAs SOI HEMT Fabricated by Fluidic Self-Assembly and Its Application
to an RF-Switch
K.Maezawa, I.Soga, S.Kishimoto, T.Mizutani and K.Akamatsu
IEICE Trans. Electronics, Vol.E91-C (2008) pp.1025-1030.
･High-temperature growth of heteroepitaxial InSb films on Si(111) substrate
via the InSb bi-layer
M.Mori, M.Saito, K.Nagashima, K.Ueda, T.Yoshida, K.Maezawa
J. Cryst. Growth, 311 (2009) pp.1692-1695.
･Microstructure and H2 gas sensing properties of undoped and Pd-doped SnO2
nanowires
Y.Shen, T.Yamazaki, Z.Liu, D.Meng, T.Kikuta, N.Nakatani, M.Saito, M.Mori
Sensors & Actuators B 135, (2009) 524-529.
･High quality InSb films grown on Si(111) substrate via InSb bi-layer.
M.Mori, M.Saito, K.Nagashima, K.Ueda, T.Yoshida, C.Tatsuyama, K.Maezawa
e-Journal of Surface Science and Nano Technology, Vol.7 (2009) 145-148
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