国内学会発表

　　秋期第70回応用物理学学術講演会

　　2009年電子情報通信学会ソサエティ大会

　　電気関係学会北陸支部連合大会

　　応用物理学会北陸・信越支部学術講演会

　　電気関係学会北陸支部連合大会

　　応用物理学会北陸・信越支部学術講演会

研究会発表

その他

国際会議発表

Published Papers
 

国内学会発表

2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
　　　(9月8-11日、富山大学)

・HEMT埋め込み超伝導回路作製プロセスの評価
　 　(名古屋大）堤早希、奥村崇之、赤池宏之、藤巻朗、（富山大）前澤宏一
　 　講演予稿集No.1, (8a-T-9)

・GaAs基板上におけるInSbナノワイヤーの作製
　 　河合太宮人、大川一成、中谷佑介、橋本将視、森雅之、前澤宏一
　 　講演予稿集No.1, (10a-C-3)

・Growth of InSb films on a Si(001) substrate with V-shaped grooves
　via the InSb i-layer
　 　S.Khamseh, K.Nakatani, T.Iwasugi, K.Nakayama, A.Kadota, M.Mori, K.Maezawa
　 　講演予稿集No.1, (11p-C-8).

・高性能広帯域デジタル超音波センサのためのGaAs基板上MEMSマイクロフォンの作製
　 　柴田真吾、笠原康司、松田憲治、森雅之、前澤宏一
　 　 (C-10-12).

・表面再構成制御成長法を用いて作製したＳｉ上AlInSb層の特性評価
　 　辻成介、中谷公彦、上田広司、森雅之、前澤宏一
　 　 (2D-11).

研究会発表

・Fluidic self-assembly for heterogeneous integration
　　　K.Maezawa
　　　Japan-Germany Joint Research Workshop on NW-CMOS
　　　Sophia University, Tokyo, Aug. 31 (2009)

・InSb Nanowire Growth on Si Substrate
　　　M.Mori
　　　Japan-Germany Joint Research Workshop on NW-CMOS
　　　Sophia University, Tokyo, Aug. 31 (2009)

・共鳴トンネル素子を生かす新しい集積化技術
　　　前澤宏一
　　　第43回ナノ・スピン工学研究会 -ミリ波・テラヘルツ波帯ナノデバイス・メタマテリアル-
　　　2010. 3. 10、東北大学　

・Growth of InSb nanowire
　　　M.Mori, T.Kawai, I.Ookawa, Y.Nakaya, K.Maezawa
　　　Japan-Germany Joint Research Workshop on NW-CMOS
　　　University of Toyama, Toyama, Mar. 11-12 (2010)

その他

・実業之富山　6月号 （実業之富山社).
　 　最前線の研究現場から　−富山の産学協同研究ー
　 　新アナ・デジタル変換方式で高性能超音波センサー開発

・富山大学コラボフェスタ２００９
　　　研究夢プランコンテスト第１位（平成２１年度）
　　　Si基板上におけるInSb薄膜を用いた超高速・超低消費電力デバイスの開発

・応用物理　Vol.７９、３月号（２０１０）　（(社)応用物理学会）
　　　研究紹介 p.239-242
　　　共鳴トンネルダイオードを生かす新しい集積化技術
　　　

国際会議発表 

・Fabrication of HEMT-Implanted Superconductor Circuit with Broadband Interconnects,
　 　T.Okumura, S.Tsutsumi, M.Nirmal, H.Kaike, A.Fujimaki (Nagoya Univ.)
　 　K.Maezawa (Toyama Univ.):
　 　2nd Superconducting SFQ VLSI Workshop (SSV 2009),
　 　Fukuoka, Japan, Jun. 15-17 (2009) Poster.

・InSb films grown the V-grooved Si(001) substrate with InSb bi-layer,
　 　M.Mori, S.Khamseh, T.Iwasugi, K.Nakatani, K.Murata, M.Saito, K.Maezawa:
　 　14th International Conference on Narrow Gap Semiconductors
　　and Systems (NGSS-14),
　 　Sendai, Japan, Jul. 13-17 (2009) Poster.

・Heteroepitaxial growth of InSb films on the patterned Si(001) substrate,
　 　T.Iwasugi, M.Mori, H.Igarashi, K.Murata, M.Saito, K.Maezawa:
　 　14th International Conference on Narrow Gap Semiconductors
　　 and Systems (NGSS-14),
　 　Sendai, Japan, Jul. 13-17 (2009) Poster.

・A third harmonic oscillator using coupled RTD pair oscillators,
　 　K.Maezawa, T.Ohe, K.Kasahara, M.Mori
　 　Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2009)
　 　Nagano, Japan, Aug. 26-28 (2009) Poster with SP.

・RF small signal characterization of active transmission lines loaded
　by InGaAs/AlAs resonant tunneling diodes,
　 　K.Kasahara, T.Ohe, M.Mori, K.Maezawa
　 　International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009),
　 　Sendai, Japan, Oct. 7-9 (2009) Oral.

・Au catalyst assisted MBE growth of InSb nanowires on GaAs(001) substrate
　 　T.Kawai, M.Mori, M.Hashimoto, I.Ookawa, Y.Nakaya, K.Maezawa
　 　International Symposium on Quantum Nanophotonics (ISQNN2009),
　 　Tokyo, Japan, Nov. 18-20 (2009) Poster.

・Surface reconstruction assisted growth of InSb films on V-grooved Si(001) substrate
　 　M.Mori, S.Khamseh, T.Iwasugi, K.Nakatani, K.Maezawa
　 　International Symposium on Quantum Nanophotonics (ISQNN2009),
　 　Tokyo, Japan, Nov. 18-20 (2009) Poster.

Published Papers

･Heteroepitaxial growth of rotate AlInSb layer mediated by InSb bi-layer
　on Si(111) substrate.
　 　M.Saito, M.Mori, K.Ueda, K.Maezawa
　 　Phys. Stat. Sol. (c) 6, No.6 (2009) pp.1497-1500

･Heteroepitaxial growth of InSb films on V-grooved Si(001) substrate.
　 　M.Mori, H.Igarashi, T.Iwasugi, K.Murata, K.Maezawa, M.Saito
　 　e-Journal of Surface Science and Nano Technology, 7 (2009) pp.669-672.

･Improved Bias Stability of the Resonant Tunneling Diode Pair Oscillators
　Integrated on an AlN Ceramic Substrate.
　 　K.Maezawa, N.Kamegai, S.Kishimoto, T.Mizutani, and K.Akamatsu
　 　Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 04C084

･Possibility of Terahertz Amplification by Active Transmission Lines
　Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs.
　 　K.Maezawa, T.Sakamoto, K.Kasahara, M.Mori,
　 　Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 124503.

･InSb films grown on the V-grooved Si(001) substrate with InSb bi-layer.
　 　M.Mori, S.Khamseh, T.Iwasugi, K.Nakatani, K.Murata, M.Saito, K.Maezawa
　 　Physics Procedia, 3 (2010) pp.1335-1339.

･Heteroepitaxial growth of InSb films on the patterned Si(001) substrate.
　 　T.Iwasugi, M.Mori, H.Igarashi, K.Murata, M.Saito, K.Maezawa,
　 　Physics Procedia, 3 (2010) pp.1329-1333.