国内学会発表

研究会発表

その他

国際会議発表

Published Papers
 

国内学会発表

2010年電子情報通信学会ソサイエティ大会
　　　　（9月14-17日、大阪府立大学）

・Fluidic Self-Assembly (FSA)のための微小はんだバンプの作製
　　 中野純、大勝崇外、森雅之、前澤宏一


平成21年度応用物理学会　北陸・信越支部学術講演会
　　　　（11月19-20日、金沢大学）

・表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製
　　 角田梓、岩杉達矢、中谷公彦、中山幸二、森雅之、前澤宏一

・InSb単分子層を用いた高移動度InSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
　　 中山幸二、中谷公彦、安井雄一郎、サラ カマセ、森雅之、前澤宏一

・GaAs基板上におけるInSbナノワイヤーの作製
　　 大川一成、河合太宮人、中谷祐介、真屋和幸、橋本将視、森雅之、前澤宏一


2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
　　　　（3月24-27日、神奈川工科大学）

・表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長
　　 中山幸二、中谷公彦、安井雄一郎、サラ カマセ、森雅之、前澤宏一


2011年電子情報通信学会総合大会
　　　(平成23年3月１4-17日、東京都立大学（世田谷キャンパス）

・Fluidic Self-Assembly (FSA)のための微小はんだバンプの作製(II)
　　 中野純、大勝崇外、柴田知明、森雅之、前澤宏一
　　 講演予稿DVD　(C-10-17).

・共用共振器を省略した共鳴トンネル３次高調波発信器
　 　早野一起、森雅之、前澤宏一
　 　講演予稿DVD　(C-10-20).

・High Frequency Oscillators based on Active Transmission Lines Loaded with
　Resonant Tunneling Diode Pairs
　 　潘　　杰、森雅之、前澤宏一
　　 講演予稿DVD　(C-10-21).

研究会発表

その他

富山大学コラボフェスタ２０１０
　　　（9月3日、富山大学）

・Si基板上におけるInSb薄膜を用いた超高速・超低消費電力デバイスの開発

・Fluidic Self-Assembly法を用いた微小デバイスブロックの自己整合配置

国際会議発表 

・A Traveling Wave Amplifier Based on Composite Right/Left Handed (CRLH)
　Transmission Lines Periodically Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs,
　 　K.Maezawa, K.Kasahara, M.Mori:
　 　22nd International Conferene on Indium Phosphide and　Related
　 　Materials (IPRM2010),
　 　Takamatsu, Japan, May 31-Jun. 4 (2010) Poster.

・InSb nanowires grown on a GaAs substrate using Au catalyst,
　 　T.Kawai, M.Mori, I.Ookawa, Y.Nakaya, K.Maezawa
　 　The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)
　 　Takamatsu, Japan, May 31-Jun. 4 (2010) Poster.　

・Step Hall measurement of InSb films grown on Si(111) with InSb bi-layer
　 　K.Nakayama, K.Nakatani, S.Tsuji, M.Mori, K.Maezawa,
　 　The 3rd International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials
　 　and Related Nanotechnologies (EM-NANO2010)
　 　Toyama, Japan, Jun. 22-25 (2010) Poster.

・High electron mobility InSb films grown on Si(111) with InSb bi-layer,
　 　K.Nakatani, K.Nakayama, S.Khamseh, M.Mori, K.Maezawa,
　 　The 3rd International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials
　 　and Related Nanotechnologies (EM-NANO2010)
　 　Toyama, Japan, Jun. 22-25 (2010) Poster.

・High Speed Circuits Based on Resonant Tunneling Diodes and Their Application
　to Analog Digital Converters
　 　K. Maezawa, S. Shibata, K. Takaoka and M. Mori
　 　2010 Asia-Pacific Radio Science Conference (AP-RASC'10)
　 　Toyama, Japan, Sep. 22-26 (2010) Oral

・InSb MOS diode on a Si(111) substrate grown by surfacce reconstruction
　controled epitaxy.
　 　A. Kadoda, T.Iwasugi, K.Nakatani, K.Nakayama, M.Mori, K.Maezawa
　 　2010 International Conference on Solid State Devices and
　　 Materials (SSDM2010)
　 　Tokyo, Japan, Sep. 22-24 (2010) Oral

・High electron mobility InSb films grown on Si(111) substrate via √7×√3-In
　and 2x2-In surface reconstruction.
　 　S. Khamseh, K.Nakatani, K.Nakayama, M.Mori, K.Maezawa
　 　2010 International Conference on Solid State Devices and
　　 Materials (SSDM2010)
　 　Tokyo, Japan, Sep. 22-24 (2010) Poster

・Characterization of InSb MOS diodes on Si substrates prepared by surface
　reconstruction controlled epitaxy
　 　K.Maezawa, A.Kadoda, T.Iwasugi, K.Nakatani, K.Nakayama, K.Imaizumi, M.Mori,
　 　E.Miyazaki(Nagoya Univ.), T.Mizutani(Nagoya Univ.)
　 　35ｔｈ Workshop on Compound Semiconductor Devices and
　 　Integrated Circuits (WOCSDICE 2011)
　 　Catania, Italy, May 29-Jun. 1 (2011)

Published Papers

・A Third order harmonic oscillator based on coupled resonant tunneling diode
　pair oscillators.
　　K.Maezawa, T.Ohe, K.Kasahara, and M.Mori,
　　IEICE Transactions Electronics, Vol.E93-C, No.8, (2010) pp.1290-1294

・Step hall measurement of InSb films grown on Si(111) substrate using InSb
　bi-layer
　　K.Nakayama, K.Nakatani, S.Khamseh, M.Mori, and K.Maezawa
　　Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 01BF01