国内学会発表

国際会議発表

研究会発表

その他

Published Papers

国内学会発表

2011年電気学会電子・情報・システム部門大会
　　　(平成23年9月7-9日、富山大学 五福キャンパス

・InSb単分子層を介したSi基板上への高移動度InSb薄膜の作製
　 　中山幸二、安井雄一郎、中谷公彦、森雅之、前澤宏一.
　 　(PS1-10)
・化合物半導体上におけるInSbナノワイヤーの成長
　 　大川一成、河合太宮人、中谷裕介、橋本将視、森雅之、前澤宏一
　 　(PS1-9)

・Fluidic Self-Assembly (FSA)のための微小はんだバンプの作製
　 　柴田知明、中野純、大勝崇外、森雅之、前澤宏一
　 　(GS10-4)


2011年（平成23年）秋季第72回応用物理学会学術講演会
　　　(平成23年8月29-9月2日、山形大学 小白川キャンパス

・Si上高移動度InSb薄膜のためのInSb単分子層形成条件の最適化
　 　安井雄一郎、中山幸二、中谷公彦、森雅之、前澤宏一.
　 　(30a-ZA-11)


2011年電子情報通信学会 ソサイエティ大会
　　　(平成23年9月13-16日、北海道大学

・RTDpair発振器の発振周波数に対する測定系の影響
　 　早野一起、森雅之、前澤宏一.
　 　(C-10-16)


平成23年度応用物理学会　北陸：信越支部学術講演会
　　　(平成23年11月18-19日、金沢歌劇座

・高性能広帯域デジタル超音波センサのためのMEMSマイクロフォンの作製
　 　高岡和央、眞弓健、水野雄太、前澤宏一、森雅之.
　 　(19a-B-05)

国際会議発表

・Characterization of InSb MOS diodes on Si substrates prepared by surface
　reconstruction controlled epitaxy
　 　K.Maezawa, A.Kadoda, T.Iwasugi, K.Nakatani, K.Nakayama, K.Imaizumi, M.Mori,
　 　E.Miyazaki(Nagoya Univ.), T.Mizutani(Nagoya Univ.)
　 　35ｔｈ Workshop on Compound Semiconductor Devices and
　 　Integrated Circuits (WOCSDICE 2011)
　 　Catania, Italy, May 29-Jun. 1 (2011) Oral.

・Possibility of High Order Harmonic Oscillators Based on Active Transmission
　Lines Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs
　 　Jie Pan, M.Mori, K. Maezawa
　 　9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2011)
　 　Gifu, Japan, Aug. 28-31 (2011) Poster with SP

・Fluidic Self-Assembly for Heterogeneous Integration of High Performance
　Resonant Tunneling Diodes Using Low-Melting Point Alloy Bumps
　 　J. Nakano, T. Shibata, T. Okatsu, M.Mori, K. Maezawa
　 　2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
　　 (SSDM 2011)
　 　Nagoya, Japan, Sep. 27-30 (2011) Oral.

・Effect of Initial In Coverage for Preparation of InSb Bilayer on Electrical
　Properties of InSb films Grown By Surface Reconstruction Controlled Epitaxy
　 　M.Mori, Y. Yasui, K. Nakayama, K. Nakatani, K. Maezawa
　 　2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
　　 (SSDM 2011)
　 　Nagoya, Japan, Sep. 27-30 (2011) Oral.
 
・An Al₂O₃/InSb/Si MOS diode Having an Ultra-Thin InSb Layer
　 　A. Kadoda, T. Iwasugi, K. Nakatani, K. Nakayama, M.Mori, K. Maezawa,
　 　E. Miyazaki, T. Mizutani
　 　2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
　　 (SSDM 2011)
　 　Nagoya, Japan, Sep. 27-30 (2011) Poster with SP.

研究会発表

・表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長
　　　森雅之、中山幸二、中谷公彦、安井雄一郎、前澤宏一
　　　電子情報通信学会電子デバイス研究会,(ED)報告 ED2011-19, p95-98
　　　名古屋大学、5月19-20日　(2011)

・表面再構成制御成長法を用いたSi(111)基板上のＩｎＳｂ ＭＯＳダイオードの作製
　　　角田　梓、岩杉達矢、中谷公彦、中山幸二、森　雅之、前澤宏一
　　　電子情報通信学会電子デバイス研究会,(ED)報告 ED2011-55, p91-96
　　　長岡技術科学大学、7月29-30日 (2011)

・表面再構成制御成長法を用いたSi上への高移動度ＩｎＳｂ薄膜の成長とその応用
　　　森雅之、中谷公彦、中山幸二、安井雄一郎、角田　梓、岩杉達矢、前澤宏一(富山大学）
　　　宮崎英志、水谷孝(名古屋大学）
　　　電気学会「シリコンナノデバイス集積化技術」調査専門委員会、
　　　　　　　　　「クラウド時代のユビキタス電子デバイス」調査専門委員会　合同委員会
　　　法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター、11月22日 (2011)

その他

Published Papers

・The effects of deposition conditions of InSb first layer on electrical properties
　of n-type InSb films grown with two step growth method via InS bilayer
　　S.Khamseh, Y.Yasui, K.Nakayama, K.Nakatani, M.Mori, and K.Maezawa
　　Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 04DH13