国内学会発表

研究会発表

その他

国際会議発表

Published Papers
 

国内学会発表

2012年電子情報通信学会 ソサイエティ大会
　　　(平成24年9月11-14日、富山大学)

　 　(C-10-2)

・共鳴トンネルダイオードを用いた高性能サンプリング回路の提案
　 　呉東坡、潘杰、森雅之、前澤宏一.
　 　(C-10-14)


応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
　　　(平成24年11月16-17日、富山県民会館

・超音波ディップコート法を用いた微小はんだバンプの作製
　 　森田弘樹、中野純、柴田知明、坂本宙、森雅之、前澤宏一
　　 講演予稿集, p.32.(17a-B-1).

・n-InSbに対するSn系オーミック電極の検討
　 　細谷耕右、伊藤泰平、安井雄一郎、中山幸二、角田梓、森雅之、前澤宏一
　 　講演予稿集, p.34.(17a-B-3).

研究会発表

電子情報通信学会、電子デバイス研究会
　　　(2月7-8日、北海道大学)

・共鳴トンネル素子を用いた装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性
　 　潘　傑、早野一樹、森雅之、前澤宏一(富山大）
　 　電子情報通信学会、電子デバイス研究会(ED)報告 ED2011-147, p31-34　(2012).

その他

東北大学電気通信研究所、共同プロジェクト研究会
　　　(3月2日、江陽グランドホテル（仙台市）)

・直列接続共鳴トンネル素子を用いた高性能THz信号源の研究
　 　前澤宏一
　 　東北大学電気通信研究所、
　 　「新世代ICTの羅針盤」 〜通研共同プロジェクトからのメッセージ〜、p51-60　(2012).

電気学会「シリコンナノデバイス集積化技術」調査専門委員会、
　「クラウド時代のユビキタス電子デバイス」調査専門委員会　合同委員会
　　　(11月22日、法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター)

2012 Microwave Workshops & Exhibition (MWE 2012)

・�V−�X族化合物半導体MOSFETの現状と課題
　 　前澤宏一
　　　ワークショップ16　依頼講演　11月30日、横浜　

国際会議発表

・Al₂O₃/InSb MOS diodes with an ultrathin InSb layer grown directly
　on Si(111) substrate using surface reconstruction controlled epitaxy
　 　K. Maezawa, A. Kadoda, T. Ito, Y. Yasui, M.Mori, E. Miyazaki, T. Mizutani
　　 11th Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials
　　 & Technologies (EXMATEC)
 　 Island of Porquerolles (France), 30th May- 1st June  (2012) (Oral)

・Al₂O₃/InSb/Si quantum well MOSFETs having ultra-thin InSb layer
　 　K. Maezawa, T. Ito, A. Kadoda, K. Nakayama, Y. Yasui, M.Mori,
　　 E. Miyazaki, T. Mizutani
　　 Device research conference 2012 (DRC)
　　 Penn State University, PA (USA) 18-20th June (2012) (Poster)

・Heteroepitaxial growth of AlInSb on a Si(111) substrate using surface reconstruction
　controlled epitaxy
　 　M. Mori, Y. Yasui, K. Nakayama, M. Miura, K. Maezawa
　　 The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
　　 Nara Prefectural New PublicHall, Nara, 23-28th Sep. (2012) (Poster)

・Effective mobility enhancement in Al₂O₃/InSb/Si quantum well MOSFETs
　for thin InSb channel layers
　 　T. Ito, A. Kadoda, K. Nakayama, Y. Yasui, M. Mori, K. Maezawa, E. Miyazaki, T. Mizutani
　　 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
　　 (SSDM 2012)
　 　Kyoto, Japan, Sep. 24-26 (2012) (Oral)

・High electron mobility InSb film on Si grown by surface reconstruction controlled
　epitaxy and its application for MOSFETs.
　 　M. Mori, Y. Yasui, K. Nakayama, A. Kadoda, T. Ito, K. Maezawa, C. Tatsuyama
　　 The 10th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS10)
　　 Univ. of Tokyo, Hongo, Tokyo, 26-28th Sep. (2012) (Oral).

・Heteroepitaxial growth of InSb on Si by using surface reconstruction controlled epitaxy.
　 　M. Mori
　　 Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG2012)
　　 Orland, USA, 11-14th Dec. (2012) (Invited).

Published Papers

・Effect of Initial In Coverage for Preparation of InSb Bilayer on Electrical
　Properties of InSb films Grown By Surface Reconstruction Controlled Epitaxy
　 　M.Mori, Y. Yasui, K. Nakayama, K. Nakatani, K. Maezawa
　　Jpn. J. Appl. Phys. Vol.51, No.2 (2012) 02BH03

・Characterization of Al₂O₃/InSb/Si MOS diode Having an various InSb thicknesses
　grown on Si(111) substrate
　 　A. Kadoda, T. Iwasugi, K. Nakatani, K. Nakayama, M.Mori, K. Maezawa,
　 　E. Miyazaki, T. Mizutani
　　Semiconductor Science and Technology, Vol 27. (2012) 045007

・Possibility of High Order Harmonic Oscillators Based on Active Transmission Lines
　Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs
　 　J. Pan, K. Hayano, M.Mori, K. Maezawa
　　IEICE Trans. Electron., Vol.E95-C, No.8 (2012) pp.1385-1388.

・A Proposal of High-Performance Samplers Based on Resonant Tunneling Diodes
　 　K. Maezawa, J. Pan, D. Wu, M. Mori
　 　IEICE Trans. Electron., Vol.E95-C, No.11 (2012) pp.1830-1833.