平成28年における研究活動状況

平成28年(2016年)

国内学会発表

　　電子情報通信学会総合大会

国際会議発表

研究会発表

その他

Published Papers

国内学会発表

2016年電子情報通信学会総合大会
　　　(3月15-18日、九州大学伊都キャンパス）

・周波数ΔΣ変調方式センサに対する位相ノイズの効果
　　前澤宏一、藤野舜也、山岡昂博、森雅之
　　C-10-12

2016年電子情報通信学会ソサイエティ大会
　　　(9月20-23日北海道大学）

・共鳴トンネル素子装荷伝送線路を用いた高次高調波発振器の設計指針と注入同期
　　前澤宏一、岸拓郎、森雅之

平成28年応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
　　　(12月108日、富山県民会館）

・Fluidic Self-Assembly高効率化実験のためのダミーブロック作製
　　高山一希、中野友寛、水戸俊宏、森雅之、前澤宏一
　　B12

・Heteroepitaxial growth of InGaSbon HQ GaSb on Si(111) by two step growth method
　　A.A.Md. Monzur-Ul-Akhir, Masayuki Mori, Koichi Maezawa
　　E11

国際会議発表

・Injection Locking and High Order Harmonic Generation in Transmission Line Oscillators Loaded with Resonant Tunneling Diodes
　　　Koichi Maezawa, Takuro Kishi and Masayuki Mori
　　　40th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe(WOCSDICE),
　　　Aveiro, Portugal, 6-10 June, Oral

・Experimental Demonstration of Strain Detection Using Resonant Tunneling Delta-Sigma Modulation Sensors
　　　Takumi Tajika, Yuichiro Kakutani, Masayuki Mori and Koichi Maezawa
　　　43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS),
　　　June 26-30, 2016, Toyama, Oral

・Heteroepitaxial growth of InGaSb on GaSb/Si(111)-√3x√3-Ga surface phase with two step growth method
　　　A.A.Md.Monzur-Ul-Akhir, Masayuki Mori, and Koichi Maezawa
　　　43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS),
　　　June 26-30, 2016, Toyama, Poster

・Effect of growth condition of buffer layer for heteroepitaxial InSb films grown on Ge(111) substrate
　　　Takaaki Mitsueda, Masayuki Mori, and Koichi Maezawa
　　　43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS),
　　　June 26-30, 2016, Toyama, Poster

・Impulse sensitivity function study of the phase noise in resonant tunneling diode oscillators
　　　K. Maezawa and M. Mori
　　　2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2016)
　　　4-6 July, Hakodate, Poster

研究会発表

・HEMTと空洞共振器を用いたΔΣ型マイクロフォンセンサ
　　　山岡昂博、藤野舜也、山岸凌、山川雅暉、島田知輝、森雅之、前澤宏一
　　　電子情報通信学会電子デバイス研究会,(ED)報告 ED2015-129, p45-48
　　　北海道大学、3月3-4日　(2016)

・Ge(111)基板上へのInSb薄膜のエピタキシャル成長
　　　三枝孝彰、森雅之、前澤宏一
　　　電子情報通信学会電子デバイス研究会,(ED)報告 ED2016-31, p21-24
　　　首都大学東京、7月23-24日　(2016)

・周波数ΔΣ変調器のデジタル出力センサへの応用
　　　前澤宏一、藤野舜也、山岡昂博、山川雅暉、島田知輝、角谷祐一郎、田近拓巳、森　雅之
　　　電子情報通信学会電子デバイス研究会,(ED)報告 ED2016-42, pp. 65-70
　　　機械振興会館、8月9-10日　(2016)

その他
・学生発表奨励賞受賞　山岡　昂博
　　　電子情報通信学会電子デバイス研究会
　　　「HEMTと空洞共振器を用いたΔΣ型マイクロフォンセンサ」

・東北大学　電気通信研究所
　　　平成27年度共同プロジェクト研究発表会
　　　前澤宏一、森雅之、山田悟史、中山大周、中野大輔、安藤浩哉(豊田高専)
　　　尾辻泰一(東北大)
　　　「位相雑音特性に着目した共鳴トンネルTHz信号源の研究」

・有機・無機エレクトロニクスシンポジウム
　　　前澤宏一（招待講演）
　　　「共鳴トンネル素子を用いた超高周波回路とその集積技術」
　　　2016年 7月15日、金沢

・ Electronics Letters　Features Section, Listen up
　　　ELECTRONICS LETTERS 29th September 2016 Vol.52 No.20 p. 1649
　　　doi: 10.1049/el.2016.3218
　　　http://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/el.2016.3218

・集積化 MEMSシンポジウム
　　　「周波数ΔΣ変調方式を用いた共鳴トンネル歪センサ」
　　　前澤宏一，角谷祐一郎，田近拓巳，森雅之
　　　第8回集積化 MEMS シンポジウム、10月24-26日、平戸、25pm4-PM-004

Published Papers

・Delta Sigma Modulation Microphone Sensors Using a Microwave Cavity Resonator
　　Koichi Maezawa, Shunya Fujino, Takahiro Yamamoka, Masayuki Mori
　　Electronics Letters, Vol.52 No.20 (2016) pp. 1651-1652
　　DOI:10.1049/el.2016.2538, Available online: 06 August 2016

・Experimental demonstration of strain detection using resonant tunneling delta-sigma modulation sensors
　　Takumi Tajika, Yuichiro Kakutani, Masayuki Mori and Koichi Maezawa
　　Phys. Status Solidi A, 1-7 (2016) / DOI 10.1002/pssa.201600548

・Heteroepitaxial growth of InGaSb on GaSb/Si(111)-√3x√3-Ga surface phase with two step growth method to investigate the impact of high-quality GaSb buffer layer
　　A.A.Mohammad Monzur-Ul-Akhir, Masayuki Mori and Koichi Maezawa
　　Phys. Status Solidi B, 1-6 (2016) / DOI 10.1002/pssb.201600528