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国内学会発表
研究会発表
その他
国際会議発表
Published Papers
国内学会発表
2017年電子情報通信学会総合大会
(3月22〜25日、名城大学 天白キャンパス)
・FMΔΣ変調方式を用いた新原理の変位/振動センサ
山川雅暉、前澤宏一(富山大)、安藤浩哉(豊田高専)、島田知輝、森 雅之(富山大)、
後野昭次、大竹啓之(豊田高専)
C-10-7
第9回集積化MEMSシンポジウム
第34回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
第8回マイクロ・ナノ工学シンポジウム
(10月31〜11月2日、広島国際会議場)
・新規MEMS位相シフタを用いた広帯域可変周波数共鳴トンネルダイオード発振器
山下貴士、中野大輔、森 雅之、前澤宏一
PM-2
平成29年度 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
(12月9日、金沢歌劇座)
・HEMTと高さ可変の空洞共振器を用いた周波数ΔΣ型マイクロフォンセンサ
島田知輝、山川雅輝、村谷龍星、谷川彩香、前澤宏一、森雅之
E12
・Growth of single crystalline InSb thin film on InGaSb intermediate layer using High Quality GaSb/Si(111)-√3x√3-Ga surface
A.A. Md. Monzur-Ul-Akhir、Masayuki Mori、Koichi Maezawa
E08
研究会発表
電子情報通信学会、電子デバイス研究会
(2月24日、北海道大学)
・共鳴トンネル素子を装荷した伝送線路発振器の高調波生成に関する線形モデル解析
前澤宏一、岸 拓郎、森 雅之 (富山大)
電子情報通信学会、電子デバイス研究会(ED)報告 ED2016-133, p17-22 (2017).
電子情報通信学会、電子デバイス研究会
(5月25〜26日、名古屋大学)
・GaSb/Si(111)-√3×√3-Ga表面相上へのInGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
モハマド・モンズール、森 雅之、下山浩哉、前澤宏一 (富山大)
電子情報通信学会、電子デバイス研究会(ED)報告 ED2017-23, p45-49 (2017).
電子情報通信学会、電子デバイス研究会
(8月9〜10日、機械振興会館)
・THz帯域を目指した新構造可変位相シフタ
前澤宏一、中野大輔、森 雅之 (富山大)、石井仁(豊橋技科大)、安藤浩哉(豊田高専)
電子情報通信学会、電子デバイス研究会(ED)報告 ED2017-76, p25-28 (2017).
電子情報通信学会、電子デバイス研究会
(12月18日、東北大学)
・[招待講演]共鳴トンネル発振器の安定性改善とセンサ応用
前澤宏一(富山大)
その他
国際会議発表
・Growth Nature of InSb Channel Layer on Heteroepitaxial Film of InGaSb Barrier Layer
on GaSb/Si(111)-√3x√3-Ga Surface
A.A.Md.Monzur-Ul-Akhir, Masayuki Mori, Koichi Maezawa
The 6th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2017)
Aossa, Fukui, 18-21th June (2017) Poster
・Bias Stability and Triggering of a Hard-Type Oscillator Using
Series-Connected Resonant Tunneling Diodes
K. Maezawa and M. Mori
The 12th Tpical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2017)
Kirishima, Kagoshima, 28-31th August (2017) Poster with SP
・External synchronization of traveling pulses developed in anetwork of resonant-tunneling diode transmission lines
K. Narahara and K. Maezawa
The 12th Tpical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2017)
Kirishima, Kagoshima, 28-31th August (2017) Poster with SP
・A Wide-Range Variable-Frequency Resonant Tunneling Diode Oscillator Based on a Novel MEMS Phase Shifter
Takashi Yamashita, Daisuke Nakano, Masayuki Mori and Koichi Maezaw
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)
Sendai, Miyagi, 19-22nd September (2017) Oral N-1-02, pp621-622.
・Al-foil-based low-loss coplanar waveguides directly bonded to sapphire substrates
Keita Matsuura, Jianbo Liang, Koichi Maezawa, and Naoteru Shigekawa
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)
Sendai, Miyagi, 19-22nd September (2017) Oral J-7-03, pp495-496.
Published Papers
・Full-wave analysis of traveling pulses developed in a system of transmission lines with regularly spaced resonant-tunneling diodes
K. Narahara and K. Maezawa
International Journal of Circuit Theory & Applications,
accepted for publication, DOI: 10.1002/cta.2421, 2017.
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