国内学会発表
電子情報通信学会総合大会
応用物理学会学術講演会
応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
研究会発表
その他
国際会議発表
Published Papers
国内学会発表
2018年電子情報通信学会総合大会
(3月20-23日、東京電機大学 東京北千住キャンパス)
・金属箔を直接接合したセラミック基板上の低損失コプレーナ線路の伝送特性評価
松浦圭汰、梁 剣波(阪市大)、前澤宏一(富山大)、重川直輝(阪市大)
(C-2-49)
電子情報通信学会2018年ソサイエティ大会
(9月11-14日、金沢大学 角間キャンパス)
・金属箔直接接合による低損失インダクタのRF特性評価
松浦圭汰、梁 剣波(阪市大)、前澤宏一(富山大)、重川直輝(阪市大)
(C-2-42)
・Fluidic Self-Assemblyの歩留まりを制限する要因の検討
水戸俊宏、前澤宏一、森 雅之、中野友寛
(C-10-3)
2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
(9月18-21日、名古屋国際会議場)
・表面再構成制御法を用いたSi(111)基板上へのIn0.2Ga0.8Sbエピタキシャル成長
五十嵐廉、森雅之、前澤宏一
(18p-234B-19)
平成30年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
(12月1日、富山県民会館)
・溶融Gaバンプを用いた微小デバイスレベル実装技術Fluidic Self-Assemblyにおける歩留まり制限要因の検討
中野友寛、水戸俊宏、森雅之、前澤宏一
(B01)
・周波数刄ー変換方式を用いたマイクロフォンセンサの帯域内雑音低減
村谷龍星、前澤宏一、森雅之
(E05)
・空洞共振器を用いた周波数刄ー型振動センサの提案
本村彰啓、前澤宏一、島田知輝、山川雅輝、村谷龍星、森雅之
(E069)
・A Study of Flux Ratio Effeting GaSb Growth at Low Temperature
A.A.Md.Monzur-Ul-Akhir, Masayuki Mori, Koichi Maezawa
(A17)
・A Study of Growth Rate and Temperature Effecting GaSb Growth
A.A.Md.Monzur-Ul-Akhir, Masayuki Mori, Koichi Maezawa
(A18)
研究会発表
電子情報通信学会、
電子デバイス研究会
(5月24日、豊橋技術科学大学)
・Growth of high quality InSb channel layer with InxGa1-xSb heteroepitaxial film on Si
A.A. Mohammad Monzur-Ul-Akhir、森 雅之、前澤宏一
(ED2018-17)
第4回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム
(6月22, 23日、宇奈月国際ホテル)
・共鳴トンネルダイオードを用いた硬い発振器
吉田素将、森雅之、前澤宏一
(P-15)
・GaSb/Si(111)基板上へのInSbのエピタキシャル薄膜の作製と評価
長橋栄臣、森雅之、前澤宏一
(P-21)
電子情報通信学会、
電子デバイス研究会
(8月8日、機械振興会館)
・周波数ΔΣ変調型センサのための10GS/s FPGA測定系の構築
前澤宏一、山岡昂博、森雅之
(ED2018-25)
日本学術振興会 接合界面創成技術第191委員会第18回研究会
(9月14日、東京大学工学部11号館1階講堂)
・[依頼講演] Fluidic Self Assemblyによる異種材料デバイスの集積
前澤宏一
その他
新規MEMS位相シフタを用いた広帯域可変周波数共鳴トンネルダイオード発振器
山下貴士、森雅之、前澤宏一
第34回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
第9回集積化MEMSシンポジウム
優秀ポスター賞
平成30年3月18日
塗布型酸化物半導体共鳴トンネル素子のためのIn2O3/Ga2O3/In2O3 ninダイオードの評価
遠矢浩士、森雅之、前澤宏一
第10回集積化MEMSシンポジウム(札幌市民交流プラザ)
平成30年10月31日
微小Gaバンプを用いたFluidic Self-AssemblyにおけるGaバンプの活性化と消失の抑制
中野友寛、水戸俊宏、森雅之、前澤宏一
第10回集積化MEMSシンポジウム(札幌市民交流プラザ)
平成30年10月31日
国際会議発表
・Resonant tunneling hard-type oscillators having a Schottky diode trigger circuit for stable and large voltage swing operation
Koichi Maezawa*, Motoyuki Yoshida, Masayuki Mori
The 42nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe
Bucharest, Romania, 14-16 May 2018 (2018)
・1-MHz strain detection using resonant tunneling delta-sigma modulation sensors
K. Maezawa, T. Tajika, M. Mori
2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2018), A6-2
Kitakyushu, Japan, 2-4 July, 2018. (Oral)
・Operating Mechanism and Voltage Swing Enhancement of the Hard-type Oscillators Based on Series-connected RTDs
Koichi Maezawa, Motoyuki Yoshida, Masayuki Mori
Progress In Electromagnetics Research Symposium (PIERS 2018), Session 3P6b
August 1-4, 2018, Toyama, JAPAN (Oral)
・Effect of Flux Ratio on GaSb Films Grown at Low Temperature on Si(111)
A. A. M. Monzur-Ul-Akhir, M. Mori and K. Maezawa
14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14), 23P001
October 21-25, 2018, Sendai International Center, Sendai, JAPAN (Poster)
・Effect of Growth Rate and Temperature on GaSb Films on Si(111) Substrate
A. A. M. Monzur-Ul-Akhir, M. Mori and K. Maezawa
14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14), 23P003
October 21-25, 2018, Sendai International Center, Sendai, JAPAN (Poster)
Published Papers
・Growth Nature of InSb Channel Layer on Heteroepitaxial Films of InGaSb Layer on GaSb/Si(111)-√3×√3-Ga Surface Phase
A. A. Mohamad Monzur-Ul-Akhir, M. Mori, K. Maezawa
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology Vol.16 (2018) pp.20-26, https://doi.org/10.1380/ejssnt.2018.20
・A wide-range variable-frequency resonant tunneling diode oscillator using a variable resonator suitable for simple MEMS process
Takashi Yamashita, Daisuke Nakano, Masayuki Mori and Koichi Maezawa
Jpn. J. Appl. Phys. Vol.57 (2018) 04FG10
・Full-wave analysis of traveling pulses developed in a system of transmission lines with regularly spaced resonant-tunneling diodes
K. Narahara and K. Maezawa
Int J Circ Theor Appl. Vol.46 (2018) pp.671-682. https://doi.org/10.1002/cta.2421
・Possibilities of Large Voltage Swing Hard-Type Oscillators Based on Series-Connected Resonant Tunneling Diodes
K. Maezawa and M. Mori
IEICE TRANS. ELECTRON., VOL.E101-C, NO.5 (2018) pp.305-310.
DOI: 10.1587/transele.E101.C.305
・Characterization of a hardtype oscillator using seriesconnected tunnel diodes
K. Narahara and K. Maezawa
IEICE Electronics Express, Vol.15, No.10, 1-6.
DOI: 10.1587/elex.15.20180355
・Large-amplitude voltage edge oscillating in a transmission line with regularly spaced series-connected resonant-tunneling diodes
Koichi Narahara, Koichi Maezawa
IEICE Electronics Express, Vol.15, No.17, 1-6,
DOI: 10.1587/elex.15.20180678
・Experimental observation of synchronised oscillating edges in electrical lattice with series-connected tunnel diodes
K. Narahara and K. Maezawa
Electronics Letters,
DOI: 10.1049/el.2018.6324 , Print ISSN 0013-5194, Online ISSN 1350-911X
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