平成30年における研究活動状況

平成30年(2018年)

国内学会発表

　　電子情報通信学会総合大会
　　応用物理学会学術講演会
　　応用物理学会北陸・信越支部学術講演会

研究会発表

その他

国際会議発表

Published Papers

国内学会発表

2018年電子情報通信学会総合大会
　　　(3月20-23日、東京電機大学　東京北千住キャンパス）

・金属箔を直接接合したセラミック基板上の低損失コプレーナ線路の伝送特性評価
　　松浦圭汰、梁　剣波（阪市大）、前澤宏一（富山大）、重川直輝（阪市大）
　　(C-2-49)

電子情報通信学会2018年ソサイエティ大会
　　　(9月11-14日、金沢大学　角間キャンパス）

・金属箔直接接合による低損失インダクタのRF特性評価
　　松浦圭汰、梁　剣波（阪市大）、前澤宏一（富山大）、重川直輝（阪市大）
　　(C-2-42)

・Fluidic Self-Assemblyの歩留まりを制限する要因の検討
　　水戸俊宏、前澤宏一、森　雅之、中野友寛
　　(C-10-3)

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
　　　(9月18-21日、名古屋国際会議場）

・表面再構成制御法を用いたSi(111)基板上へのIn_0.2Ga_0.8Sbエピタキシャル成長
　　五十嵐廉、森雅之、前澤宏一
　　(18p-234B-19)

平成30年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
　　　(12月1日、富山県民会館）

・溶融Gaバンプを用いた微小デバイスレベル実装技術Fluidic Self-Assemblyにおける歩留まり制限要因の検討
　　中野友寛、水戸俊宏、森雅之、前澤宏一
　　(B01)

・周波数⊿Σ変換方式を用いたマイクロフォンセンサの帯域内雑音低減
　　村谷龍星、前澤宏一、森雅之
　　(E05)

・空洞共振器を用いた周波数⊿Σ型振動センサの提案
　　本村彰啓、前澤宏一、島田知輝、山川雅輝、村谷龍星、森雅之
　　(E069)

・A Study of Flux Ratio Effeting GaSb Growth at Low Temperature
　　A.A.Md.Monzur-Ul-Akhir, Masayuki Mori, Koichi Maezawa
　　(A17)
　　
・A Study of Growth Rate and Temperature Effecting GaSb Growth
　　A.A.Md.Monzur-Ul-Akhir, Masayuki Mori, Koichi Maezawa
　　(A18)

研究会発表
電子情報通信学会、電子デバイス研究会
　　　（5月24日、豊橋技術科学大学）

・Growth of high quality InSb channel layer with In_xGa_1-xSb heteroepitaxial film on Si
　　A.A. Mohammad Monzur-Ul-Akhir、森　雅之、前澤宏一
　　(ED2018-17)

第4回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム
　　　（6月22, 23日、宇奈月国際ホテル）

・共鳴トンネルダイオードを用いた硬い発振器
　　　吉田素将、森雅之、前澤宏一
　　　(P-15)

・GaSb/Si(111)基板上へのInSbのエピタキシャル薄膜の作製と評価
　　長橋栄臣、森雅之、前澤宏一
　　　(P-21)

電子情報通信学会、電子デバイス研究会
　　　（8月8日、機械振興会館）

・周波数ΔΣ変調型センサのための10GS/s FPGA測定系の構築
　　前澤宏一、山岡昂博、森雅之
　　(ED2018-25)

日本学術振興会　接合界面創成技術第191委員会第18回研究会
　　　（9月14日、東京大学工学部11号館1階講堂）

・[依頼講演] Fluidic Self Assemblyによる異種材料デバイスの集積
　　前澤宏一
　　

　　　

その他
新規MEMS位相シフタを用いた広帯域可変周波数共鳴トンネルダイオード発振器
　　山下貴士、森雅之、前澤宏一
　　第34回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
　　第9回集積化MEMSシンポジウム
　　優秀ポスター賞
　　平成30年3月18日

塗布型酸化物半導体共鳴トンネル素子のためのIn₂O₃/Ga₂O₃/In₂O₃ ninダイオードの評価
　　遠矢浩士、森雅之、前澤宏一
　　第10回集積化MEMSシンポジウム（札幌市民交流プラザ）
　　平成30年10月31日

微小Gaバンプを用いたFluidic Self-AssemblyにおけるGaバンプの活性化と消失の抑制
　　中野友寛、水戸俊宏、森雅之、前澤宏一
　　第10回集積化MEMSシンポジウム（札幌市民交流プラザ）
　　平成30年10月31日

国際会議発表
・Resonant tunneling hard-type oscillators having a Schottky diode trigger circuit for stable and large voltage swing operation
　　Koichi Maezawa*, Motoyuki Yoshida, Masayuki Mori
　　The 42nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe
　　Bucharest, Romania, 14-16 May 2018 (2018)

・1-MHz strain detection using resonant tunneling delta-sigma modulation sensors
　　K. Maezawa, T. Tajika, M. Mori
　　2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2018), A6-2
　　Kitakyushu, Japan, 2-4 July, 2018. (Oral)

・Operating Mechanism and Voltage Swing Enhancement of the Hard-type Oscillators Based on Series-connected RTDs
　　Koichi Maezawa, Motoyuki Yoshida, Masayuki Mori
　　Progress In Electromagnetics Research Symposium (PIERS 2018), Session 3P6b
　　August 1-4, 2018, Toyama, JAPAN (Oral)

・Effect of Flux Ratio on GaSb Films Grown at Low Temperature on Si(111)
　　A. A. M. Monzur-Ul-Akhir, M. Mori and K. Maezawa
　　14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14), 23P001
　　October 21-25, 2018, Sendai International Center, Sendai, JAPAN (Poster)

・Effect of Growth Rate and Temperature on GaSb Films on Si(111) Substrate
　　A. A. M. Monzur-Ul-Akhir, M. Mori and K. Maezawa
　　14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14), 23P003
　　October 21-25, 2018, Sendai International Center, Sendai, JAPAN (Poster)

Published Papers

・Growth Nature of InSb Channel Layer on Heteroepitaxial Films of InGaSb Layer on GaSb/Si(111)-√3×√3-Ga Surface Phase
　　A. A. Mohamad Monzur-Ul-Akhir, M. Mori, K. Maezawa
　　e-Journal of Surface Science and Nanotechnology Vol.16 (2018) pp.20-26, https://doi.org/10.1380/ejssnt.2018.20

・A wide-range variable-frequency resonant tunneling diode oscillator using a variable resonator suitable for simple MEMS process
　　Takashi Yamashita, Daisuke Nakano, Masayuki Mori and Koichi Maezawa
　　Jpn. J. Appl. Phys. Vol.57 (2018) 04FG10

・Full-wave analysis of traveling pulses developed in a system of transmission lines with regularly spaced resonant-tunneling diodes
　　K. Narahara and K. Maezawa
　　Int J Circ Theor Appl. Vol.46 (2018) pp.671-682. https://doi.org/10.1002/cta.2421
・Possibilities of Large Voltage Swing Hard-Type Oscillators Based on Series-Connected Resonant Tunneling Diodes
　　K. Maezawa and M. Mori
　　IEICE TRANS. ELECTRON., VOL.E101-C, NO.5 (2018) pp.305-310.
　　DOI: 10.1587/transele.E101.C.305

・Characterization of a hardtype oscillator using seriesconnected tunnel diodes
　　K. Narahara and K. Maezawa
　　IEICE Electronics Express, Vol.15, No.10, 1-6.
　　DOI: 10.1587/elex.15.20180355

・Large-amplitude voltage edge oscillating in a transmission line with regularly spaced series-connected resonant-tunneling diodes
　　Koichi Narahara, Koichi Maezawa
　　IEICE Electronics Express, Vol.15, No.17, 1-6,
　　DOI: 10.1587/elex.15.20180678

・Experimental observation of synchronised oscillating edges in electrical lattice with series-connected tunnel diodes
　　K. Narahara and K. Maezawa
　　Electronics Letters,
　　DOI: 10.1049/el.2018.6324 , Print ISSN 0013-5194, Online ISSN 1350-911X