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 国内学会発表
 春季第44回応用物理学関係連合講演会
電気学会全国大会
秋季第58回応用物理学会学術講演会
電気関係学会北陸支部連合大会
日本物理学会・応用物理学会北陸支部合同講演会
研究会発表
その他
国際会議発表
Published Papers
国内学会発表
1997年(平成9年)春季第44回応用物理学関係連合講演会
(3月27-31日、日本大学 舟橋校舎)
・In、Sb吸着Si(001)表面のRHEED、STM観察
李 冬梅、阿閉 誠、岡本哲一、丹保豊和、上羽 弘、龍山智栄
講演予稿集No.2, p.471(29a-ZN-10).
・MBE法によるBiSrCaCuO(2212)超伝導薄膜の作製
早瀬 敬、笠島 崇、荒川豊文、丹保豊和、上羽 弘、龍山智栄
講演予稿集No.1, p.147(30a-ZR-2).
・Si(001基板上の)SrOバッファー層を用いたSrTiO3薄膜の作製
中村卓也、前田一生、梶沢大樹、丹保豊和、上羽 弘、龍山智栄
講演予稿集No.1, p.154(30p-ZR-12).
・GaAs上のGaS薄膜の初期成長過程
浅井邦彦、Islam A.B.M.Obaidul、林 建金、丹保豊和、上羽 弘、龍山智栄
講演予稿集No.3, p.1294(30p-PA-15).
・Si(001)基板上のGeアイランドを介したInSb薄膜の初期成長
森 雅之、坪崎義徳、浅野俊勝、上羽 弘、龍山智栄
講演予稿集No.1, p.354(31a-M-7).
平成9年度電気学会全国大会
(平成9年3月26-28日、同志社大学 田辺キャンバス)
・銀銅合金粉末導電塗料のイオンマイグレーション
藤城敏史、谷野克己、佐藤次郎、龍山智栄
講演予稿集2, p.83(325).
1997年(平成9年)秋季第58回応用物理学会学術講演会
(10月2-5日、秋田大学)
・Si(001)基板上のGeアイランドを用いたInSb薄膜の高温成長
森 雅之、二沢幸生、西 康雄、丹保豊和、龍山智栄
講演予稿集No.1, p.351(4a-SM-4).
・Si(001)-In(4x3)表面上へのInSbのヘテロエピタキシャル成長
李 冬梅、阿閉 誠、岡本哲一、丹保豊和、龍山智栄
講演予稿集No.1, p.351(4a-SM-5).
平成9年度電気関係学会北陸支部連合大会
(11月2-3日、金沢工業大学)
・MBEグレーデッドSi1-xGex/Si(001)表面のAFM観察
浅野 崇、又多秀昭、丹保豊和、龍山智栄
講演予稿集 p.226(D-23).
・Geバッファー層を用いたSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長
森 雅之、二沢幸生、西 康雄、丹保豊和、龍山智栄
講演予稿集 p.227(D-24).
・Si(001)基板上におけるIn(4x3)再構成層を介したInSb薄膜の作製
阿閉 誠、李 冬梅、岡本哲一、志武 豊、丹保豊和、龍山智栄
講演予稿集 p.228(D-25).
・Si(001)上へのSrTiO3薄膜のMBE成長におけるSrOバッファ層の膜厚依存性
前田一生、中村卓也、清水淳史、丹保豊和、龍山智栄
講演予稿集 p.229(D-26).
平成9年度日本物理学会・応用物理学会北陸支部合同講演会
(12月6日、金沢大学 工学部)
・MBE法により成長させたUniform-SiGe/Graded-SiGe/Si(001)表面のAFM観察
浅野 崇、又多秀昭、丹保豊和、龍山智栄
講演予稿集 p.122(V-6).
・InSb/Ge/Si(001)のヘテロエピタキシー−成長温度の影響−
森 雅之、二沢幸生、西 康雄、丹保豊和、龍山智栄
講演予稿集 p.123(V-7).
・Si(001)基板上におけるIn(4x3)を介したInSb薄膜の作製
李 冬梅、阿閉 誠、岡本哲一、志武 豊、丹保豊和、龍山智栄
講演予稿集 p.124(V-8).
研究会発表
・イオンマイグレーションによるガラス基板上の銀デンドライト成長過程
藤城敏史、谷野克己、龍山智栄
電気学会研究会資料、誘電・絶縁材料研究会、DEI-97-78、pp.45-48.
(平成９年９月９日、工学院大学新宿校舎)
その他
・分子ビームで作る単結晶薄膜(MBE)
龍山 智栄、応用物理学会北陸支部スクール
"薄膜ルネッサンス"−21世紀に向けての薄膜技術−、講演要旨集pp.
24-39
(平成9年9月12日、金沢大学秀峰会館)
・超格子による電子デバイス(Superlattice Devices)
龍山 智栄、富山ー沿海地方科学技術・産業の交流シンポジゥム
プログラム・基調講演等要旨集pp.47-48.
(平成9年10月28-30日富山県民会館)
国際会議発表
・Initial stage of the growth of GaS thin
films on GaAs,
A.B.M.O.Islam, K.Asai, K.K.Lim, T.Tambo and
C.Tatsuyama,
Abstract Book of 6th International Conference
on the Formation of Semiconductor Interfaces,
p.ThP-138
(June 23-27, 1997, Cardiff, England)
・The role of (4x3) surface reconstruction
induced by In adsorption for the heteroepitaxial
growth of InSb on Si(001)-2x1 surface,
D.M.Li, M.Atoji, M.Yamazaki, T.Tambo and
C.Tatsuyama,
Book of Abstract of The Fourth International
Symposium on Atomically Controlled Surfaces
and Interfaces, pp.15-16
(Oct. 27-30, 1997, Tokyo).
Published Papers
・Structural characterization of Si0.7Ge0.3 layers grown on Si(001) substrates by molecular
beam epitaxy,
T.Obata, K.Komeda, T.Nakao, H.Ueba and C.Tatsuyama,
J.Appl. Phys., vol. 81(1997), pp.199-204.
・Specular beam intensity and surface morphology
of BSCO films grown by MBE,
T.Tambo, S.Konishi, S.Takeda, N.Yamada, H.Ueba
and C.Tatsuyama,
Thin Solid Films, vol. 300(1997), pp.223-227.
・The effect of buffer layers on structural
quality of layers grown on Si(001) substrates
by molecular beam epitaxy,
T.Obata, K.Komeda, T.Nakao, H.Ueba and C.Tatsuyama,
Appl. Surf. Sci., vol. 117/118(1997), pp.507-511.
・Growth of InSb films on a Si(001) substrate
with Ge buffer layer,
M.Mori, Y.Tsubosaki, T.Tambo, H.Ueba and
C.Tatsuyama.
Appl. Surf. Sci., vol. 117/118(1997), pp.512-517.
・Substrate orientation dependence of the
growth of GaSe thin films on GaAs,
C.Tatsuyama, H.Nishiwaki, K.Asai, K.K.Lim,
T.Tambo and H.Ueba,
Appl. Surf. Sci., vol. 117/118(1997), pp.523-529.
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