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研究紹介

 より高速に、より高機能に、と言った要求が半導体素子の微細化を進めています。LSIの重要な部分の大きさはすでに数十nmという極微小サイズに達しています。このように小さな世界では、トンネルや干渉といった量子力学的効果が無視できません。現在のトランジスタから見ると、量子効果は性能向上の妨げとなるのですが、私たちはこれを積極的に利用しようと考えています。本研究室では、次世代の革新的集積回路の基盤を構築すべく、量子効果・ナノデバイスの考案・実証、およびこれらを応用した高性能集積回路に関する教育・研究を行って行きます。特にTHzに達する超高周波動作が可能な量子効果素子である共鳴トンネル素子や、それを用いたTHz集積回路技術の開拓に力を注いでいきます。また、それらを実現するために必要なプロセス技術、薄膜・量子構造のエピタキシャル成長やその特性評価に関する教育・研究を行います。



研究テーマ

ナノデバイス/集積回路技術
共鳴トンネル素子を用いたTHzエレクトロニクスの開拓

共鳴トンネルカオス集積回路とその信号生成・処理技術への応用

共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いた超高性能A/D変換器に関する研究

Si-CMOSを用いた超高性能A/D変換器に関する研究

Si基板上への高品質InSb量子井戸成長とそれを用いた超高速トランジスタの研究

異種材料集積化のための微小デバイス自己整合配置技術の研究




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